FF650R17IE4DPB2BOSA1

FF650R17IE4DPB2BOSA1 Infineon Technologies ИGBT модуль

• Номинальное напряжение: 1700В
• Номинальный ток: 650А
• Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Материал: SiC (Silicon Carbide) или Si (Silicon), зависит от конкретной модели

Основные параметры:

• Эффективность: Высокая при передаче энергии из-за низкого коэффициента потерь.
• Скорость включения/выключения: Быстрая реакция на изменения состояния сигнала.
• Габариты: Модуль имеет компактные размеры, что позволяет использовать его в ограниченном пространстве.

Плюсы:

• Высокая мощность: Подходит для работы с высокими токами и напряжениями.
• Энергоэффективность: Минимизация энергопотерь благодаря низкому уровню тепловых потерь.
• Долговечность: Модули могут работать длительное время без необходимости замены.
• Устойчивость к перегреву: Автоматическое ограничение мощности при повышенных температурах.

Минусы:

• Стоимость: Стоимость модулей может быть выше по сравнению с традиционными транзисторами.
• Комплексность: Необходимо наличие дополнительного оборудования для правильной работы.
• Требования к охлаждению: Модули могут требовать специализированного охлаждения для предотвращения перегрева.

Общее назначение и применение:

• Промышленное оборудование: Используется в приводах, преобразователях напряжения, инверторах.
• Автомобильная промышленность: В системах управления двигателем, зарядных установках.
• Энергетика: В трансформаторных подстанциях, солнечных панелях.
• Радиоэлектроника: В различных системах управления и преобразования.