Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - модули
FF900R12ME7B11NPSA1
  • В избранное
  • В сравнение
FF900R12ME7B11NPSA1

FF900R12ME7B11NPSA1

FF900R12ME7B11NPSA1
;
FF900R12ME7B11NPSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FF900R12ME7B11NPSA1
  • Описание:
    Транзистор: MEDIUM POWER ECONOВсе характеристики

Минимальная цена FF900R12ME7B11NPSA1 при покупке от 1 шт 46318.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FF900R12ME7B11NPSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FF900R12ME7B11NPSA1

FF900R12ME7B11NPSA1 Infineon Technologies Транзистор: MEDIUM POWER ECONO

  • Основные параметры:
    • Мощность: средняя
    • Рейтинг напряжения включенного состояния (VCEO): 900 В
    • Рейтинг тока включенного состояния (ICEO): 12 А
    • Сопротивление включенного состояния (RDS(on)): 7 мОм при 10 В
    • Количество стоков: 1
    • Тип транзистора: N-канальный полевик (MOSFET)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в включенном состоянии благодаря низкому сопротивлению RDS(on)
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Низкий энергетический утечечный ток при отключенном состоянии
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Возможны проблемы с тепловым дизайном из-за небольшого теплового сопротивления
    • Необходимо соблюдать правила защиты от электрических ударов
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления двигателем
    • Интеграция в бытовую технику и электронику
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Бытовые приборы с высокой мощностью
    • Энергосберегающие системы
    • Системы управления промышленными установками
Выбрано: Показать

Характеристики FF900R12ME7B11NPSA1

  • Package
    Tray
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    2 Independent
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    900 A
  • Рассеивание мощности
    20 mW
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.8V @ 15V, 900A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    122 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    AG-ECONOD-3
  • Base Product Number
    FF900R12

Техническая документация

 FF900R12ME7B11NPSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 10 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    46 318 ₽
  • 10
    39 477 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FF900R12ME7B11NPSA1
  • Описание:
    Транзистор: MEDIUM POWER ECONOВсе характеристики

Минимальная цена FF900R12ME7B11NPSA1 при покупке от 1 шт 46318.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FF900R12ME7B11NPSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FF900R12ME7B11NPSA1

FF900R12ME7B11NPSA1 Infineon Technologies Транзистор: MEDIUM POWER ECONO

  • Основные параметры:
    • Мощность: средняя
    • Рейтинг напряжения включенного состояния (VCEO): 900 В
    • Рейтинг тока включенного состояния (ICEO): 12 А
    • Сопротивление включенного состояния (RDS(on)): 7 мОм при 10 В
    • Количество стоков: 1
    • Тип транзистора: N-канальный полевик (MOSFET)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в включенном состоянии благодаря низкому сопротивлению RDS(on)
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Низкий энергетический утечечный ток при отключенном состоянии
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Возможны проблемы с тепловым дизайном из-за небольшого теплового сопротивления
    • Необходимо соблюдать правила защиты от электрических ударов
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления двигателем
    • Интеграция в бытовую технику и электронику
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Бытовые приборы с высокой мощностью
    • Энергосберегающие системы
    • Системы управления промышленными установками
Выбрано: Показать

Характеристики FF900R12ME7B11NPSA1

  • Package
    Tray
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    2 Independent
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    900 A
  • Рассеивание мощности
    20 mW
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.8V @ 15V, 900A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    122 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    AG-ECONOD-3
  • Base Product Number
    FF900R12

Техническая документация

 FF900R12ME7B11NPSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FS25R12W1T4B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 45A 205W
    5 838Кешбэк 875 баллов
    FS400R07A1E3S7BOMA1Транзистор: IGBT MODULE
    52 884Кешбэк 7 932 балла
    FP35R12KT4B11BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 35A 210W
    15 559Кешбэк 2 333 балла
    FF600R07ME4BPSA1Транзистор: GBT MODULE 650V 600A
    30 193Кешбэк 4 528 баллов
    FZ800R17KF4CNOSA1Транзистор: IGBT MODULE
    164 563Кешбэк 24 684 балла
    FZ600R12KE3HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 900A 2800W
    26 254Кешбэк 3 938 баллов
    DF160R12W2H3FB11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 40A 20MW
    19 222Кешбэк 2 883 балла
    FF1200R17KP4B2NOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 1200A
    212 262Кешбэк 31 839 баллов
    FF400R12KE3HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 580A 2000W
    30 996Кешбэк 4 649 баллов
    FP100R06KE3BOSA1Транзистор: IGBT MOD 600V 100A 335W
    19 354Кешбэк 2 903 балла
    FS200R07N3E4RBOSA1Транзистор: IGBT MOD 650V 200A 600W
    19 012Кешбэк 2 851 балл
    FS200R12N3T7BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO3-4
    20 518Кешбэк 3 077 баллов
    F3L225R07W2H3PB63BPSA1Транзистор: MODULE IGBT 700V EASY2B-2
    11 659Кешбэк 1 748 баллов
    FS150R07PE4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 650V 150A 430W
    33 122Кешбэк 4 968 баллов
    FZ600R17KE3S4HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 1200A 3150W
    33 960Кешбэк 5 094 балла
    FP50R12KT4PBPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 20MW
    14 005Кешбэк 2 100 баллов
    FF450R12ME4B11BPSA2Транзистор: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411
    32 359Кешбэк 4 853 балла
    FD1200R17HP4KB2BOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 1200A
    248 227Кешбэк 37 234 балла
    FB20R06W1E3BOMA1Транзистор: IGBT MODULE 600V 29A 94W
    5 594Кешбэк 839 баллов
    FP25R12W1T7B11BPSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 25A 20MW EASY
    7 091Кешбэк 1 063 балла
    FF2MR12W3M1HB11BPSA1Транзистор: LOW POWER EASY AG-EASY3B-3111
    83 781Кешбэк 12 567 баллов
    F3L11MR12W2M1B74BOMA1Транзистор: LOW POWER EASY
    24 512Кешбэк 3 676 баллов
    FF600R07ME4B11BPSA1Транзистор: MEDIUM POWER ECONO
    23 777Кешбэк 3 566 баллов
    FP10R12W1T4B3BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 20A 105W
    6 037Кешбэк 905 баллов
    FS380R12A6T4BBPSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 380A
    115 846Кешбэк 17 376 баллов
    FS650R08A4P2BPSA1Транзистор: HYBRID PACK 1
    54 313Кешбэк 8 146 баллов
    FS75R12W2T4B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 107A 375W
    11 679Кешбэк 1 751 балл
    FS150R12N2T7B15BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO
    13 990Кешбэк 2 098 баллов
    FP15R12W1T4PB11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 30A 20MW
    8 014Кешбэк 1 202 балла
    FP25R12W2T4B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 39A 175W
    8 093Кешбэк 1 213 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП