Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки
FFB5551
  • В избранное
  • В сравнение
FFB5551

FFB5551

FFB5551
;
FFB5551

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FFB5551
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6Все характеристики

Минимальная цена FFB5551 при покупке от 1 шт 146.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FFB5551 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FFB5551

FFB5551 onsemi Транзистор: TRANS 2NPN 160В 0,2А SC70-6

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Номинальное напряжениеcollector-emitter (VCEO): 160В
    • Номинальный ток collector (IC): 0,2А
    • Пакет: SC70-6
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер пакета
    • Хорошая термическая стабильность
    • Устойчивость к перенапряжениям
  • Минусы:
    • Средний ток collector сравнительно низкий
    • Максимальное напряжение collector-emitter ограничено
  • Общее назначение:
    • Усилитель сигналов
    • Переключатель
    • Регуляторы напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Электронные часы и цифровые часы
    • Автомобильная электроника
    • Игровые приставки и игровые контроллеры
Выбрано: Показать

Характеристики FFB5551

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    200mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    160V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    50nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Трансформация частоты
    300MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88 (SC-70-6)
  • Base Product Number
    FFB55

Техническая документация

 FFB5551.pdf
pdf. 0 kb
  • 24380 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    146 ₽
  • 100
    59 ₽
  • 1000
    40 ₽
  • 6000
    26.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FFB5551
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6Все характеристики

Минимальная цена FFB5551 при покупке от 1 шт 146.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FFB5551 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FFB5551

FFB5551 onsemi Транзистор: TRANS 2NPN 160В 0,2А SC70-6

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Номинальное напряжениеcollector-emitter (VCEO): 160В
    • Номинальный ток collector (IC): 0,2А
    • Пакет: SC70-6
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер пакета
    • Хорошая термическая стабильность
    • Устойчивость к перенапряжениям
  • Минусы:
    • Средний ток collector сравнительно низкий
    • Максимальное напряжение collector-emitter ограничено
  • Общее назначение:
    • Усилитель сигналов
    • Переключатель
    • Регуляторы напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Электронные часы и цифровые часы
    • Автомобильная электроника
    • Игровые приставки и игровые контроллеры
Выбрано: Показать

Характеристики FFB5551

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    200mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    160V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    50nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Трансформация частоты
    300MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88 (SC-70-6)
  • Base Product Number
    FFB55

Техническая документация

 FFB5551.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MD2219AТранзистор: TRANS 2NPN 30V 0.5A TO-78
    6 922Кешбэк 1 038 баллов
    MBT3904DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88/SC70-6
    38Кешбэк 5 баллов
    MBT3904DW1T1Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    SBC847BPDXV6T1GТранзистор: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363
    94Кешбэк 14 баллов
    NST3946DXV6T1GТранзистор: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT563
    81Кешбэк 12 баллов
    MBT2222ADW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.6A SC88/SC70-6
    37Кешбэк 5 баллов
    CPH6538-TL-HTRANS 2NPN 30V 0.7A 6CPH
    33Кешбэк 4 балла
    MCH6542-TL-ETRANS NPN/PNP 30V 0.3A 6MCPH
    59Кешбэк 8 баллов
    UMZ1NT1TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SOT363
    7.4Кешбэк 1 балл
    FMB3946Транзистор: TRAN NPN/PNP 40V 0.2A SUPERSOT6
    120Кешбэк 18 баллов
    BC856BDW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88/SC70-6
    18.5Кешбэк 2 балла
    EMX1DXV6T1GТранзистор: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
    46Кешбэк 6 баллов
    BC847BPDW1T3GДиод: TRAN NPN/PNP 45V 0.1A SC88/SC70
    41Кешбэк 6 баллов
    MCH6534-TL-EТранзистор: TRANS 2NPN 15V 0.7A 6MCPH
    33Кешбэк 4 балла
    MBT6429DW1T1Транзистор: TRANS 2NPN 45V 0.2A SOT363
    7.4Кешбэк 1 балл
    NSVT30010MXV6T1GТранзистор: TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563
    98Кешбэк 14 баллов
    SNST3904DXV6T5GТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563
    20.4Кешбэк 3 балла
    NST3946DP6T5GТранзистор: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT963
    56Кешбэк 8 баллов
    MBT3904DW1T1HТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88
    70Кешбэк 10 баллов
    MBT3946DW1T1
    13Кешбэк 1 балл
    SBC857CDW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363
    39Кешбэк 5 баллов
    BC847CDXV6T1HТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563-6
    11Кешбэк 1 балл
    SMBT3946DW1T1GТранзистор: TRAN NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
    24Кешбэк 3 балла
    SBC847BDW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
    18.5Кешбэк 2 балла
    SMBT3906DW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88
    42.6Кешбэк 6 баллов
    MBT3906DW1T1Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    EMT1DXV6T1GТранзистор: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
    87Кешбэк 13 баллов
    MC1413DR2GТранзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    100Кешбэк 15 баллов
    FFB5551Транзистор: TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6
    146Кешбэк 21 балл
    BC848CDW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 30V 0.1A SC88/SC70-6
    37Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды силовые
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП