Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
FFSB0865B-F085
  • В избранное
  • В сравнение
FFSB0865B-F085

FFSB0865B-F085

FFSB0865B-F085
;
FFSB0865B-F085

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FFSB0865B-F085
  • Описание:
    650V 8A SIC SBD GEN1.5Все характеристики

Минимальная цена FFSB0865B-F085 при покупке от 1 шт 876.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FFSB0865B-F085 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FFSB0865B-F085

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: FFSB0865B-F085
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Напряжение РД: 650В
      • Ток РД: 8А
      • Тип: SiC SBD (Sic Schottky Barrier Diode)
      • Генерация: GEN1.5
    • Плюсы:
      • Высокая скорость включения и выключения
      • Низкое сопротивление при включенном состоянии
      • Высокая частота работы
      • Малый размер и масса
      • Устойчивость к перегреву
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
      • Требуются специфические условия для работы и охлаждения
    • Общее назначение:
      • Использование в высокочастотных преобразователях питания
      • Инверторах для электромобилей
      • Системах управления мощностью
    • Применение в устройствах:
      • Мощные преобразователи питания
      • Электромобили и гибридные автомобили
      • Инверторы для домашнего использования
Выбрано: Показать

Характеристики FFSB0865B-F085

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10.1A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 8 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    40 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    336pF @ 1V, 100kHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    D²PAK-2 (TO-263-2)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    FFSB0865

Техническая документация

 FFSB0865B-F085.pdf
pdf. 0 kb
  • 867 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    876 ₽
  • 10
    569 ₽
  • 100
    435 ₽
  • 500
    352 ₽
  • 800
    345 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FFSB0865B-F085
  • Описание:
    650V 8A SIC SBD GEN1.5Все характеристики

Минимальная цена FFSB0865B-F085 при покупке от 1 шт 876.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FFSB0865B-F085 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FFSB0865B-F085

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: FFSB0865B-F085
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Напряжение РД: 650В
      • Ток РД: 8А
      • Тип: SiC SBD (Sic Schottky Barrier Diode)
      • Генерация: GEN1.5
    • Плюсы:
      • Высокая скорость включения и выключения
      • Низкое сопротивление при включенном состоянии
      • Высокая частота работы
      • Малый размер и масса
      • Устойчивость к перегреву
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
      • Требуются специфические условия для работы и охлаждения
    • Общее назначение:
      • Использование в высокочастотных преобразователях питания
      • Инверторах для электромобилей
      • Системах управления мощностью
    • Применение в устройствах:
      • Мощные преобразователи питания
      • Электромобили и гибридные автомобили
      • Инверторы для домашнего использования
Выбрано: Показать

Характеристики FFSB0865B-F085

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10.1A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 8 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    40 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    336pF @ 1V, 100kHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    D²PAK-2 (TO-263-2)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    FFSB0865

Техническая документация

 FFSB0865B-F085.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SS115-HFDIODE SCHOTTKY 150V 1A DO214AC S
    70Кешбэк 10 баллов
    RGP30KДиод: DIODE FR DO-201 800V 3A
    76Кешбэк 11 баллов
    1N1185ADO5 35 AMP SILICON RECTFIER
    2 757Кешбэк 413 баллов
    C6D08065EДиод: GEN 6 650V 8 A SBD
    847Кешбэк 127 баллов
    S4D04120EDIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
    259Кешбэк 38 баллов
    1SS355VMFHTE-17HIGH SPEED SWITCHING DIODE, HIGH
    53Кешбэк 7 баллов
    SCS220AEGC11650V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-CA
    1 834Кешбэк 275 баллов
    SR34_R1_00001SMB, SKY
    59Кешбэк 8 баллов
    1N4936GP-TPДиод: DIODE GPP FAST 1A DO-41
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BAS3005B02VH6327XTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2
    37.6Кешбэк 5 баллов
    BY397Диод: DIODE FR DO-201 200V 3A
    64Кешбэк 9 баллов
    BAS16-HFDIODE SWITCHING SINGLE 100V 150M
    31.5Кешбэк 4 балла
    BAV19WDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    18.5Кешбэк 2 балла
    RBR3L60BDDTE25Диод: LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    119Кешбэк 17 баллов
    MUR160SDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
    83Кешбэк 12 баллов
    BYG10YHE3_A/H1.5A,1600V,STD,AVALANCHE,SMD
    69Кешбэк 10 баллов
    VS-3EYH01HM3/HFRED PT RECTIFIER SLIMSMAW
    87Кешбэк 13 баллов
    STTH30RQ06G-TRДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
    521Кешбэк 78 баллов
    V15P8HM3_A/HDIODE SCHOTTKY 80V 15A TO277A
    237Кешбэк 35 баллов
    SB590Диод: SCHOTTKY DO-201 90V 5A
    91Кешбэк 13 баллов
    SGL34-50Диод: SCHOTTKY DO-213AA 50V 0.5A
    18Кешбэк 2 балла
    CDBMS1150-HFDIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD-123F
    70Кешбэк 10 баллов
    SUF4007Диод: DIODE UFR MELF 1000V 1A
    59Кешбэк 8 баллов
    CMH07(TE12L,Q,M)DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
    148Кешбэк 22 балла
    SBT1040-3GSchottky, 40V, 10A, 0.50V, 135A
    233Кешбэк 34 балла
    RURP1540RECTIFIER, AVALANCHE, 15A, 400V
    306Кешбэк 45 баллов
    RB168L-40TFTE25Диод: SUPER LOW IR TYPE AUTOMOTIVE SCH
    96Кешбэк 14 баллов
    SFAS805GDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS805GHDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS806GHDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП