Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FGA30S120P

FGA30S120P

FGA30S120P
;
FGA30S120P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FGA30S120P при покупке от 1 шт 1461.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGA30S120P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGA30S120P

FGA30S120P ONSEMI Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT)

  • Основные параметры:
    • VCE(on): Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при проводимости, составляет 1200 В
    • IC(max): Максимальный ток коллектора, равен 30 А
    • Управляемый напряжением: Управляется через напряжение на входе, что обеспечивает высокую надежность и стабильность работы
    • Рабочая температура: От -40°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Малые потери при работе
    • Высокая надежность и долговечность
    • Простота управления
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в различных электрических системах
    • Использование в промышленных преобразователях частоты
    • В трансформаторах мощности
    • Для управления электродвигателями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления двигателем
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Энергосберегающие системы
    • Системы управления электродвигателями
Выбрано: Показать

Характеристики FGA30S120P

Техническая документация

FGA30S120P.pdf
pdf. 0 kb
  • 81 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 461 ₽
  • 5
    1 246 ₽
  • 10
    1 031 ₽
  • 50
    1 000 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FGA30S120P при покупке от 1 шт 1461.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGA30S120P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGA30S120P

FGA30S120P ONSEMI Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT)

  • Основные параметры:
    • VCE(on): Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при проводимости, составляет 1200 В
    • IC(max): Максимальный ток коллектора, равен 30 А
    • Управляемый напряжением: Управляется через напряжение на входе, что обеспечивает высокую надежность и стабильность работы
    • Рабочая температура: От -40°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Малые потери при работе
    • Высокая надежность и долговечность
    • Простота управления
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в различных электрических системах
    • Использование в промышленных преобразователях частоты
    • В трансформаторах мощности
    • Для управления электродвигателями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления двигателем
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Энергосберегающие системы
    • Системы управления электродвигателями
Выбрано: Показать

Характеристики FGA30S120P

Техническая документация

FGA30S120P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории