Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
FGH40T65SQD-F155
  • В избранное
  • В сравнение
FGH40T65SQD-F155

FGH40T65SQD-F155

FGH40T65SQD-F155
;
FGH40T65SQD-F155

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FGH40T65SQD-F155
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена FGH40T65SQD-F155 при покупке от 1 шт 930.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGH40T65SQD-F155 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGH40T65SQD-F155

Основные параметры:

  • Марка: FGH40T65SQD-F155

  • Производитель: ON Semiconductor

  • Тип: IGBT TRENCH/FS

  • Номинальное напряжение: 650В

  • Номинальный ток: 80А

  • Контактная площадь: TO247-3

Плюсы:

  • Высокая эффективность работы

  • Устойчивость к перегреву

  • Низкий коэффициент сопротивления при включенном состоянии

  • Высокая надежность

  • Малый размер и легкость в установке

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами

  • Требуется дополнительное охлаждение для работы при высоких нагрузках

  • Необходимо соблюдение правил работы с высокими напряжениями

Общее назначение:

  • Использование в системах управления двигателей

  • Применение в источниках питания

  • Работа в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии

  • Изготовление промышленного оборудования

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем

  • Источники бесперебойного питания

  • Системы управления промышленным оборудованием

  • Промышленные преобразователи

  • Электромобили и гибридные автомобили

Выбрано: Показать

Характеристики FGH40T65SQD-F155

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    160 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    238 W
  • Энергия переключения
    138µJ (on), 52µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    80 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    16.4ns/86.4ns
  • Условие испытаний
    400V, 10A, 6Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    31.8 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    FGH40

Техническая документация

 FGH40T65SQD-F155.pdf
pdf. 0 kb
  • 105 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    930 ₽
  • 30
    521 ₽
  • 120
    431 ₽
  • 510
    365 ₽
  • 1020
    342 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FGH40T65SQD-F155
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена FGH40T65SQD-F155 при покупке от 1 шт 930.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGH40T65SQD-F155 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGH40T65SQD-F155

Основные параметры:

  • Марка: FGH40T65SQD-F155

  • Производитель: ON Semiconductor

  • Тип: IGBT TRENCH/FS

  • Номинальное напряжение: 650В

  • Номинальный ток: 80А

  • Контактная площадь: TO247-3

Плюсы:

  • Высокая эффективность работы

  • Устойчивость к перегреву

  • Низкий коэффициент сопротивления при включенном состоянии

  • Высокая надежность

  • Малый размер и легкость в установке

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами

  • Требуется дополнительное охлаждение для работы при высоких нагрузках

  • Необходимо соблюдение правил работы с высокими напряжениями

Общее назначение:

  • Использование в системах управления двигателей

  • Применение в источниках питания

  • Работа в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии

  • Изготовление промышленного оборудования

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем

  • Источники бесперебойного питания

  • Системы управления промышленным оборудованием

  • Промышленные преобразователи

  • Электромобили и гибридные автомобили

Выбрано: Показать

Характеристики FGH40T65SQD-F155

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    160 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    238 W
  • Энергия переключения
    138µJ (on), 52µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    80 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    16.4ns/86.4ns
  • Условие испытаний
    400V, 10A, 6Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    31.8 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    FGH40

Техническая документация

 FGH40T65SQD-F155.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGF10M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 20A TO220FP
    317Кешбэк 47 баллов
    STGB20M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK
    497Кешбэк 74 балла
    STGB20N45LZAGТранзистор: POWER TRANSISTORS
    600Кешбэк 90 баллов
    STGB30H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
    526Кешбэк 78 баллов
    STGWA50M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    971Кешбэк 145 баллов
    STGP20M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 40A TO220
    532Кешбэк 79 баллов
    STGWA20HP65FB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
    583Кешбэк 87 баллов
    STGWA60V60DWFAGТранзистор: AUTOMOTIVE-GRADE TRENCH FIELD-ST
    1 645Кешбэк 246 баллов
    STGW75H65DFB2-4Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
    684Кешбэк 102 балла
    STGW60H65DFB-4Транзистор: IGBT
    1 382Кешбэк 207 баллов
    STGYA50H120DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,
    1 128Кешбэк 169 баллов
    STGWT40HP65FBТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
    617Кешбэк 92 балла
    STGW40H65DFB-4Транзистор: IGBT
    973Кешбэк 145 баллов
    STGWA30HP65FB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
    569Кешбэк 85 баллов
    STGWA50HP65FB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5
    671Кешбэк 100 баллов
    STGYA120M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
    1 706Кешбэк 255 баллов
    STGYA75H120DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 1200 V, 7
    1 262Кешбэк 189 баллов
    STGWA100H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
    1 275Кешбэк 191 балл
    STGYA120M65DF2AGТранзистор: IGBT
    1 450Кешбэк 217 баллов
    STGF20H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
    382Кешбэк 57 баллов
    STGF30M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP
    535Кешбэк 80 баллов
    STGWA75H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
    769Кешбэк 115 баллов
    STGWA40IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40
    413Кешбэк 61 балл
    STGW8M120DF3Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    835Кешбэк 125 баллов
    STGWA40HP65FB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4
    820Кешбэк 122 балла
    STGW100H65FB2-4Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
    1 285Кешбэк 192 балла
    STGWA20IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
    706Кешбэк 105 баллов
    STGWA40H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40
    650Кешбэк 97 баллов
    STGW75M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    1 110Кешбэк 166 баллов
    STGWA50IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650
    774Кешбэк 116 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Симисторы
    Диоды силовые
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП