Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
FGPF30N45TTU
FGPF30N45TTU

FGPF30N45TTU

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    FGPF30N45TTU
  • Описание:
    Транзистор: N-CHANNEL IGBTВсе характеристики

Минимальная цена FGPF30N45TTU при покупке от 243 шт 233.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGPF30N45TTU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FGPF30N45TTU

  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    450 V
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.6V @ 15V, 20A
  • Рассеивание мощности
    50.4 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    73 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Исполнение корпуса
    TO-220F-3
  • Base Product Number
    FGPF3
  • В избранное
  • В сравнение
  • 2543 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 243
    233 ₽

Минимально и кратно 243 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    FGPF30N45TTU
  • Описание:
    Транзистор: N-CHANNEL IGBTВсе характеристики

Минимальная цена FGPF30N45TTU при покупке от 243 шт 233.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGPF30N45TTU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FGPF30N45TTU

  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    450 V
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.6V @ 15V, 20A
  • Рассеивание мощности
    50.4 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    73 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Исполнение корпуса
    TO-220F-3
  • Base Product Number
    FGPF3

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NGTG12N60TF1GТранзистор
    276Кешбэк 41 балл
    TIG058E8-TL-HТранзистор: IGBT 400V 8ECH
    235Кешбэк 35 баллов
    IXGH32N170AТранзистор: IGBT 1700V 32A 350W TO247
    5 047Кешбэк 757 баллов
    IXYL60N450Транзистор: IGBT 4500V 90A 417W I5-PAK
    22 713Кешбэк 3 406 баллов
    STGB35N35LZ-1Транзистор: IGBT 345V 40A 176W I2PAK
    548Кешбэк 82 балла
    FGA70N30TDTUТранзистор: IGBT, 40A, 300V, N-CHANNEL
    312Кешбэк 46 баллов
    IRGP4790PBFТранзистор: IGBT 650V TO-247
    727Кешбэк 109 баллов
    IRG8P45N65UD1PBFТранзистор: IRG8P45N65 - 65V, 45A IGBT
    830Кешбэк 124 балла
    APT30GP60BDQ1GТранзистор: IGBT 600V 100A 463W TO247
    2 362Кешбэк 354 балла
    APT50GN60BGТранзистор: IGBT 600V 107A 366W TO247
    1 500Кешбэк 225 баллов
    STGB10M65DF2Транзистор: IGBT 650V 10A D2PAK
    559Кешбэк 83 балла
    NGTB50N60SWGТранзистор: IGBT 600V 50A TO247
    648Кешбэк 97 баллов
    FGAF40N60SMDТранзистор: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO3PF
    1 091Кешбэк 163 балла
    STGP30H60DFТранзистор: IGBT 600V 60A 260W TO220
    488Кешбэк 73 балла
    NGB8207ANT4GТранзистор: IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
    338Кешбэк 50 баллов
    STGB14NC60KDT4Транзистор: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
    392Кешбэк 58 баллов
    IRG7PH37K10DPBFТранзистор: IGBT 1200V 45A 216W TO247AC
    719Кешбэк 107 баллов
    ISL9V2540S3STТранзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    212Кешбэк 31 балл
    IGW50N65F5FKSA1Транзистор: IGBT 650V 80A TO247-3
    850Кешбэк 127 баллов
    NGB8207ABNT4GТранзистор: IGBT 365V 20A D2PAK
    154Кешбэк 23 балла
    STGF19NC60KDТранзистор: IGBT 600V 16A 32W TO220FP
    513Кешбэк 76 баллов
    STGB10NC60KDT4Транзистор: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
    374Кешбэк 56 баллов
    IXBX75N170Транзистор: IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247
    12 697Кешбэк 1 904 балла
    SGB15N60HSATMA1Транзистор: IGBT 600V 27A 138W TO263-3
    257Кешбэк 38 баллов
    IXYK140N90C3Транзистор: IGBT 900V 310A 1630W TO264
    5 007Кешбэк 751 балл
    IKW75N60TFKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
    1 389Кешбэк 208 баллов
    IKW30N65WR5XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
    717Кешбэк 107 баллов
    IRGSL30B60KPBFТранзистор: IGBT 600V 78A 370W TO262
    300Кешбэк 45 баллов
    SGW13N60UFDTMТранзистор: N-CHANNEL IGBT
    329Кешбэк 49 баллов
    STGW60V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 375W TO247
    903Кешбэк 135 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП