Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - модули
FP25R12W2T4B11BOMA1
  • В избранное
  • В сравнение
FP25R12W2T4B11BOMA1

FP25R12W2T4B11BOMA1

FP25R12W2T4B11BOMA1
;
FP25R12W2T4B11BOMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FP25R12W2T4B11BOMA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 39A 175WВсе характеристики

Минимальная цена FP25R12W2T4B11BOMA1 при покупке от 1 шт 8154.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FP25R12W2T4B11BOMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FP25R12W2T4B11BOMA1

FP25R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies ИGBT модуль:

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Максимальный ток: 39А
    • Мощность: 175Вт
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность работы
    • Устойчивость к перегреву
    • Удобство использования в различных приложениях
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительных компонентов для защиты и управления
  • Общее назначение:
    • Контроль и управление электрическими цепями
    • Регулировка мощности в различных устройствах
    • Изменение частоты и амплитуды сигнала
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики FP25R12W2T4B11BOMA1

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    Three Phase Inverter
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    39 A
  • Рассеивание мощности
    175 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.25V @ 15V, 25A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    1.45 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FP25R12

Техническая документация

 FP25R12W2T4B11BOMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 15 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    8 154 ₽
  • 15
    5 866 ₽
  • 105
    5 644 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FP25R12W2T4B11BOMA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 39A 175WВсе характеристики

Минимальная цена FP25R12W2T4B11BOMA1 при покупке от 1 шт 8154.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FP25R12W2T4B11BOMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FP25R12W2T4B11BOMA1

FP25R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies ИGBT модуль:

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Максимальный ток: 39А
    • Мощность: 175Вт
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность работы
    • Устойчивость к перегреву
    • Удобство использования в различных приложениях
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительных компонентов для защиты и управления
  • Общее назначение:
    • Контроль и управление электрическими цепями
    • Регулировка мощности в различных устройствах
    • Изменение частоты и амплитуды сигнала
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики FP25R12W2T4B11BOMA1

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    Three Phase Inverter
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    39 A
  • Рассеивание мощности
    175 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.25V @ 15V, 25A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    1.45 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FP25R12

Техническая документация

 FP25R12W2T4B11BOMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FZ1600R17HP4B2BOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 1600A
    179 620Кешбэк 26 943 балла
    FP35R12KT4BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO
    12 559Кешбэк 1 883 балла
    FS35R12KT3BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311
    12 920Кешбэк 1 937 баллов
    F3L400R10W3S7B11BPSA1Транзистор: IGBT MODULE LOW POWER EASY
    25 415Кешбэк 3 812 баллов
    FP75R06KE3BOSA1Транзистор: IGBT MODULE 600V 95A 250W
    18 638Кешбэк 2 795 баллов
    FF300R17KE4HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 440A 1800W
    23 740Кешбэк 3 561 балл
    FP100R07N3E4B11BOSA1Транзистор: IGBT MOD 650V 100A 335W
    20 355Кешбэк 3 053 балла
    FP25R12KT3BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 40A 155W
    13 562Кешбэк 2 034 балла
    FP25R12W2T4PB11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 50A 20MW
    10 740Кешбэк 1 611 баллов
    FP25R12KT3BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO
    13 339Кешбэк 2 000 баллов
    FP30R06KE3BOSA1Транзистор: IGBT MODULE 600V 37A 125W
    12 526Кешбэк 1 878 баллов
    FZ600R17KE3HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 840A 3150W
    33 580Кешбэк 5 037 баллов
    FS200R07PE4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 650V 200A 600W
    24 492Кешбэк 3 673 балла
    FS50R06KE3BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311
    10 794Кешбэк 1 619 баллов
    F3L300R12PT4B26COSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 460A 1650W
    26 962Кешбэк 4 044 балла
    F3L75R12W1H3B11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 45A 275W
    6 771Кешбэк 1 015 баллов
    F3L400R12PT4B26BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 600A 2150W
    28 211Кешбэк 4 231 балл
    FF300R17ME4B11BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 375A 1800W
    26 841Кешбэк 4 026 баллов
    FF600R12ME4PB72BPSA1Транзистор: MEDIUM POWER ECONO
    35 180Кешбэк 5 277 баллов
    FF900R12IE4PBOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 900A 20MW
    77 477Кешбэк 11 621 балл
    FS150R12KT4B9BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 150A 750W
    26 712Кешбэк 4 006 баллов
    FD1200R17HP4KB2BOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 1200A
    181 070Кешбэк 27 160 баллов
    FS150R17PE4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 150A 835W
    30 235Кешбэк 4 535 баллов
    FS500R17OE4DBOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 740A 3000W
    119 069Кешбэк 17 860 баллов
    FS75R12KS4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 500W
    75 316Кешбэк 11 297 баллов
    FS820R08A6P2LBBPSA1Транзистор: IGBT MODULE 820A HYBRID PK DRIVE
    60 099Кешбэк 9 014 баллов
    FF900R12ME7WB11BPSA1Транзистор: MEDIUM POWER ECONO
    38 619Кешбэк 5 792 балла
    FS150R12N2T7B54BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO
    17 102Кешбэк 2 565 баллов
    FD450R12KE4PHOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 450A AG62MM-1
    26 280Кешбэк 3 942 балла
    FS150R12KT4PB11BPSA1Транзистор: MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4
    21 691Кешбэк 3 253 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП