Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - модули
FP50R12KT4BPSA1
  • В избранное
  • В сравнение
FP50R12KT4BPSA1

FP50R12KT4BPSA1

FP50R12KT4BPSA1
;
FP50R12KT4BPSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FP50R12KT4BPSA1
  • Описание:
    Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411Все характеристики

Минимальная цена FP50R12KT4BPSA1 при покупке от 1 шт 13437.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FP50R12KT4BPSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FP50R12KT4BPSA1

Разрешенные теги:

    Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411, маркировка FP50R12KT4BPSA1, производитель Infineon Technologies

    • Основные параметры:
      • Номинальный коэффициент усиления (hfe): 411
      • Номинальное напряжение коллектора-;base (VCEO): 12 В
      • Номинальное напряжение базы-emitter (VBE(on)): 2 В
      • Максимальная мощность (Ptot(max)): 50 Вт
    • Плюсы:
      • Высокий коэффициент усиления для низкочастотных приложений
      • Высокая надежность и стабильность характеристик
      • Экономичность использования благодаря низкому потреблению энергии
    • Минусы:
      • Не подходит для высокочастотных приложений
      • Требует дополнительного охлаждения при работе в режиме максимальной мощности
    • Общее назначение:
      • Используется в различных электронных устройствах, требующих усилителей сигнала
      • Подходит для преобразователей напряжения, схем управления мощностью и др.
    • В каких устройствах применяется:
      • Преобразователи напряжения
      • Усилители сигналов
      • Системы управления мощностью
      • Автомобильные электронные системы
      • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики FP50R12KT4BPSA1

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    Three Phase Inverter
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 A
  • Рассеивание мощности
    280 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.25V @ 15V, 50A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    2.8 nF @ 25 V
  • Вход
    Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    AG-ECONO2B
  • Base Product Number
    FP50R12

Техническая документация

 FP50R12KT4BPSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 2 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    13 437 ₽
  • 15
    10 405 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FP50R12KT4BPSA1
  • Описание:
    Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411Все характеристики

Минимальная цена FP50R12KT4BPSA1 при покупке от 1 шт 13437.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FP50R12KT4BPSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FP50R12KT4BPSA1

Разрешенные теги:

    Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411, маркировка FP50R12KT4BPSA1, производитель Infineon Technologies

    • Основные параметры:
      • Номинальный коэффициент усиления (hfe): 411
      • Номинальное напряжение коллектора-;base (VCEO): 12 В
      • Номинальное напряжение базы-emitter (VBE(on)): 2 В
      • Максимальная мощность (Ptot(max)): 50 Вт
    • Плюсы:
      • Высокий коэффициент усиления для низкочастотных приложений
      • Высокая надежность и стабильность характеристик
      • Экономичность использования благодаря низкому потреблению энергии
    • Минусы:
      • Не подходит для высокочастотных приложений
      • Требует дополнительного охлаждения при работе в режиме максимальной мощности
    • Общее назначение:
      • Используется в различных электронных устройствах, требующих усилителей сигнала
      • Подходит для преобразователей напряжения, схем управления мощностью и др.
    • В каких устройствах применяется:
      • Преобразователи напряжения
      • Усилители сигналов
      • Системы управления мощностью
      • Автомобильные электронные системы
      • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики FP50R12KT4BPSA1

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    Three Phase Inverter
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 A
  • Рассеивание мощности
    280 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.25V @ 15V, 50A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    2.8 nF @ 25 V
  • Вход
    Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    AG-ECONO2B
  • Base Product Number
    FP50R12

Техническая документация

 FP50R12KT4BPSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FD800R45KL3KB5NPSA1Транзистор: IGBT MOD 4500V 800A 9000W
    367 763Кешбэк 55 164 балла
    FF1200R12IE5PBPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 2400A 20MW
    112 412Кешбэк 16 861 балл
    FF1500R17IP5PBPSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 1500A AGPRIME3+-5
    157 591Кешбэк 23 638 баллов
    FF450R12IE4BOSA2Транзистор: IGBT MOD 1200V 450A 2550W
    77 328Кешбэк 11 599 баллов
    DF1000R17IE4PBPSA1Транзистор: PP IHM I XHP 1 7KV
    112 522Кешбэк 16 878 баллов
    FF600R12KT4HOSA1Транзистор: 62MM POWER MODULE 1200 V WITH IG
    29 924Кешбэк 4 488 баллов
    FF650R17IE4DPB2BOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 650A
    97 176Кешбэк 14 576 баллов
    FF800R12KE3NOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 1200A 3900W
    140 467Кешбэк 21 070 баллов
    FP25R12W2T7B11BPSA1Транзистор: LOW POWER EASY
    8 274Кешбэк 1 241 балл
    FZ1200R17HP4HOSA2Транзистор: IGBT MOD 1700V 1200A 7800W
    104 642Кешбэк 15 696 баллов
    FZ1200R17HP4B2BOSA2Транзистор: IGBT MOD 1700V 1200A 7800W
    170 777Кешбэк 25 616 баллов
    FZ1600R17KE3NOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 2300A 8950W
    147 659Кешбэк 22 148 баллов
    FF800R17KP4B2NOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 800A
    162 314Кешбэк 24 347 баллов
    FZ2400R12HP4HOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1200V 3460A
    141 140Кешбэк 21 171 балл
    FZ825R33HE4DBPSA1Транзистор: HV B SINGLE SWITCH POWER MODULES
    262 260Кешбэк 39 339 баллов
    FS100R12W2T7B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 20MW EASY
    14 519Кешбэк 2 177 баллов
    FS225R12KE4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 320A 1100W
    88 556Кешбэк 13 283 балла
    FP50R12KT4BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411
    13 437Кешбэк 2 015 баллов
    F3L400R07W3S5B59BPSA1Транзистор: LOW POWER EASY AG-EASY3B-7011
    18 171Кешбэк 2 725 баллов
    FP200R12N3T7B11BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO
    29 457Кешбэк 4 418 баллов
    6MS24017P43W41646NOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V STACK A-MS3-1
    4 576 836Кешбэк 686 525 баллов
    DDB6U30N08VRBOMA1Транзистор: IGBT MOD 600V 26A 83.5W
    55 580Кешбэк 8 337 баллов
    FF1800R17IP5PBPSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 3600A
    215 982Кешбэк 32 397 баллов
    FF225R65T3E3BPSA1Транзистор: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
    270 843Кешбэк 40 626 баллов
    FP100R12KT4PBPSA1Транзистор: MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3
    25 845Кешбэк 3 876 баллов
    FP15R12W1T4B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 28A 130W
    6 353Кешбэк 952 балла
    F3L400R10W3S7FB11BPSA1Транзистор: IGBT MODULE LOW POWER EASY
    38 648Кешбэк 5 797 баллов
    FS50R12W2T4B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 83A 335W
    8 243Кешбэк 1 236 баллов
    FD800R17KE3B2NOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 800A
    180 203Кешбэк 27 030 баллов
    FD300R17KE4PHOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 300A AG62MM-1
    34 687Кешбэк 5 203 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП