FP75R06KE3BOSA1

FP75R06KE3BOSA1 Infineon Technologies ИГБТ-модуль:

• Напряжение: 600В
• Рейтинг тока: 95А
• Мощность: 250ВА

Основные параметры:

• Тип устройства: ИГБТ-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Номинальное напряжение: 600В
• Номинальный ток: 95А
• Мощность: 250ВА
• Коэффициент мощности: ≈83%

Плюсы:

• Высокая эффективность: Коэффициент мощности около 83%
• Малый размер и вес: Оптимизирован для компактного размещения
• Долгий срок службы: Высокое качество материалов и сборки
• Устойчивость к перегреву: Встроенные системы охлаждения
• Простота управления: Индуктивное управление

Минусы:

• Высокая стоимость: Из-за использования высококачественных материалов и сложной технологии производства
• Сложность в монтаже: Требует точной установки и соблюдения технологий
• Необходимость дополнительных компонентов: Для обеспечения надежной работы могут потребоваться дополнительные элементы, такие как термопаста и радиаторы

Общее назначение:

• Преобразование напряжений: Используется для управления переменными токами и напряжениями
• Энергосбережение: Эффективно снижает энергопотери в системах
• Автоматизация: Применяется в промышленных автоматических системах
• Передовая техника: Используется в современных электротехнических устройствах

Применение:

• Промышленное оборудование: Конвейерные линии, станки, пневматические системы
• Автомобильная индустрия: Системы управления двигателем, зарядные устройства для электромобилей
• Энергетика: Регулирование частоты вращения генераторов, преобразователи напряжения
• Железнодорожный транспорт: Питание и управление электровозами
• Маршрутизация энергии: Преобразователи напряжения для сетей передачи энергии