FP75R12N2T4BOSA1

FP75R12N2T4BOSA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT MODULE LOW POWER ECONO

• Основные параметры:
• Рейтингная мощность (P_ON): 75 W
• Уровень напряжения (U_CEBO): 1200 В
• Максимальное токовое сопротивление (R_DS(on)): 2.6 Ω
• Тип: IGBT модуль низкой мощности
• Производитель: Infineon Technologies
• Плюсы:
• Высокая эффективность работы
• Надежность и долговечность
• Малый размер и легкость в установке
• Компактность и экономичность
• Устойчивость к перегрузкам
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
• Требует дополнительного охлаждения при высокой нагрузке
• Требует специализированного оборудования для монтажа
• Общее назначение:
• Используется в маломощных системах управления электрическими машинами и устройствами
• Подходит для применения в промышленных системах управления и автоматизации
• Применяется в бытовой технике, например, в инверторах для холодильников и кондиционеров
• В каких устройствах применяется:
• Промышленные системы управления
• Бытовая техника (инверторы для холодильников, кондиционеров)
• Автомобильные системы управления
• Системы управления электродвигателями
• Необходимо для устройств, требующих точного управления током и мощностью