Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FQAF9P25

FQAF9P25

FQAF9P25
;
FQAF9P25

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FQAF9P25 при покупке от 219 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQAF9P25 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQAF9P25

FQAF9P25 Fairchild Semiconductor MOSFET P-CH 250V 7.1A TO3PF — это полевая транзисторная трубка (MOSFET) с положительным зарядом носителей (P-канальный). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение на разряде (VDS(ON)): 250В
  • Номинальный ток проводимости (ID): 7.1А
  • Тип пакета: TO3PF

Плюсы:

  • Высокое значение VDS(ON) позволяет использовать его в различных приложениях с напряжением питания до 250В.
  • Высокий ток проводимости обеспечивает эффективную работу в больших нагрузках.
  • Устойчивость к обратному напряжению.
  • Малые потери энергии при работе.

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках из-за возможного перегрева.
  • Необходимо соблюдать правила по проектированию и монтажу для предотвращения повреждений.

Общее назначение:

  • Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление большими токами или преобразование сигналов.
  • Подходит для применения в источниках питания, преобразователях напряжения, стабилизаторах и других устройствах.

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Приборостроении
  • Промышленных системах
  • Радиоэлектронных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики FQAF9P25

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    620mOhm @ 3.55A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    38 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1180 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    70W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-3PF
  • Корпус
    TO-3P-3 Full Pack
  • по запросу
Минимально и кратно 219 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FQAF9P25 при покупке от 219 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQAF9P25 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQAF9P25

FQAF9P25 Fairchild Semiconductor MOSFET P-CH 250V 7.1A TO3PF — это полевая транзисторная трубка (MOSFET) с положительным зарядом носителей (P-канальный). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение на разряде (VDS(ON)): 250В
  • Номинальный ток проводимости (ID): 7.1А
  • Тип пакета: TO3PF

Плюсы:

  • Высокое значение VDS(ON) позволяет использовать его в различных приложениях с напряжением питания до 250В.
  • Высокий ток проводимости обеспечивает эффективную работу в больших нагрузках.
  • Устойчивость к обратному напряжению.
  • Малые потери энергии при работе.

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках из-за возможного перегрева.
  • Необходимо соблюдать правила по проектированию и монтажу для предотвращения повреждений.

Общее назначение:

  • Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление большими токами или преобразование сигналов.
  • Подходит для применения в источниках питания, преобразователях напряжения, стабилизаторах и других устройствах.

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Приборостроении
  • Промышленных системах
  • Радиоэлектронных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики FQAF9P25

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    620mOhm @ 3.55A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    38 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1180 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    70W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-3PF
  • Корпус
    TO-3P-3 Full Pack

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 219 шт