Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
FQB27N25TM-F085
  • В избранное
  • В сравнение
FQB27N25TM-F085

FQB27N25TM-F085

FQB27N25TM-F085
;
FQB27N25TM-F085

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FQB27N25TM-F085
  • Описание:
    FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25Все характеристики

Минимальная цена FQB27N25TM-F085 при покупке от 1 шт 689.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQB27N25TM-F085 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQB27N25TM-F085

N-канальный MOSFET FQB27N25TM-F085 (или FQB27N25) от onsemi (ранее Fairchild Semiconductor) относится к серии ULTRAFET, что указывает на оптимизацию для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии (Rds(on)) и высокой скорости переключения.

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: N-канальный MOSFET
    • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 250 В (указано "25" в названии, но чаще всего это 250 В для этой серии)
    • Максимальный постоянный ток стока (Id): 27 А
    • Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds(on)): Обычно низкое, для серии ULTRAFET характерны значения порядка десятков или сотен миллиом (например, 0.085 Ом при Vgs=10V, что соответствует "F085" в номере детали)
    • Напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В (типичное значение)
    • Тип корпуса: TO-263 (D2PAK) или TO-220 (в зависимости от полного партномера)
  • Плюсы:
    • Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): Минимизирует потери мощности и нагрев, повышая эффективность.
    • Высокая скорость переключения: Позволяет использовать транзистор в высокочастотных приложениях.
    • Высокая плотность тока: Способность пропускать значительные токи.
    • Надежность: Продукция onsemi обычно отличается хорошим качеством и надежностью.
    • Широкий диапазон применений: Благодаря своим характеристикам подходит для различных схем.
  • Минусы:
    • Чувствительность к статическому электричеству (ESD): Как и большинство MOSFET, требует осторожности при обращении.
    • Относительно высокое напряжение пробоя затвора (Vgs(th)): Может требовать более высокого напряжения управления затвором по сравнению с некоторыми другими типами транзисторов.
    • Цена: Может быть выше по сравнению с некоторыми менее производительными MOSFET.
  • Общее назначение:
    • FQB27N25 предназначен для использования в качестве силового ключа или регулятора в схемах, требующих высокой эффективности, низких потерь и быстрого переключения.
  • Применение:
    • Источники питания (импульсные блоки питания, DC-DC преобразователи)
    • Инверторы и преобразователи
    • Моторные контроллеры (управление двигателями)
    • Схемы управления освещением (например, LED-драйверы)
    • Автомобильная электроника
    • Промышленная автоматика
    • Солнечные инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики FQB27N25TM-F085

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    25.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    131mOhm @ 25.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    49 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1800 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    417W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 19780 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    689 ₽
  • 500
    193 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FQB27N25TM-F085
  • Описание:
    FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25Все характеристики

Минимальная цена FQB27N25TM-F085 при покупке от 1 шт 689.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQB27N25TM-F085 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQB27N25TM-F085

N-канальный MOSFET FQB27N25TM-F085 (или FQB27N25) от onsemi (ранее Fairchild Semiconductor) относится к серии ULTRAFET, что указывает на оптимизацию для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии (Rds(on)) и высокой скорости переключения.

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: N-канальный MOSFET
    • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 250 В (указано "25" в названии, но чаще всего это 250 В для этой серии)
    • Максимальный постоянный ток стока (Id): 27 А
    • Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds(on)): Обычно низкое, для серии ULTRAFET характерны значения порядка десятков или сотен миллиом (например, 0.085 Ом при Vgs=10V, что соответствует "F085" в номере детали)
    • Напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В (типичное значение)
    • Тип корпуса: TO-263 (D2PAK) или TO-220 (в зависимости от полного партномера)
  • Плюсы:
    • Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): Минимизирует потери мощности и нагрев, повышая эффективность.
    • Высокая скорость переключения: Позволяет использовать транзистор в высокочастотных приложениях.
    • Высокая плотность тока: Способность пропускать значительные токи.
    • Надежность: Продукция onsemi обычно отличается хорошим качеством и надежностью.
    • Широкий диапазон применений: Благодаря своим характеристикам подходит для различных схем.
  • Минусы:
    • Чувствительность к статическому электричеству (ESD): Как и большинство MOSFET, требует осторожности при обращении.
    • Относительно высокое напряжение пробоя затвора (Vgs(th)): Может требовать более высокого напряжения управления затвором по сравнению с некоторыми другими типами транзисторов.
    • Цена: Может быть выше по сравнению с некоторыми менее производительными MOSFET.
  • Общее назначение:
    • FQB27N25 предназначен для использования в качестве силового ключа или регулятора в схемах, требующих высокой эффективности, низких потерь и быстрого переключения.
  • Применение:
    • Источники питания (импульсные блоки питания, DC-DC преобразователи)
    • Инверторы и преобразователи
    • Моторные контроллеры (управление двигателями)
    • Схемы управления освещением (например, LED-драйверы)
    • Автомобильная электроника
    • Промышленная автоматика
    • Солнечные инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики FQB27N25TM-F085

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    25.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    131mOhm @ 25.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    49 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1800 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    417W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPA60R360P7XKSA1MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220
    382Кешбэк 57 баллов
    BSC014N04LSTATMA1MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
    383Кешбэк 57 баллов
    BSC190N15NS3GATMA1MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
    383Кешбэк 57 баллов
    BSC0702LSATMA1MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8
    385Кешбэк 57 баллов
    IPD80R600P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
    387Кешбэк 58 баллов
    IPAN60R210PFD7SXKSA1MOSFET N-CH 650V 16A TO220
    387Кешбэк 58 баллов
    IPA082N10NF2SXKSA1TRENCH >=100V PG-TO220-3
    387Кешбэк 58 баллов
    BSC109N10NS3GATMA1MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
    389Кешбэк 58 баллов
    IPD70N12S311ATMA1MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
    389Кешбэк 58 баллов
    BSC070N10NS3GATMA1MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
    389Кешбэк 58 баллов
    IPD85P04P4L06ATMA2MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
    391Кешбэк 58 баллов
    IPD90P03P404ATMA2MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
    393Кешбэк 58 баллов
    IPG20N04S4-08IPG20N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
    395Кешбэк 59 баллов
    IPD90R1K2C3ATMA2MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3
    395Кешбэк 59 баллов
    ISC0802NLSATMA1MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
    395Кешбэк 59 баллов
    SPP18P06PHXKSA1MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
    396Кешбэк 59 баллов
    ISZ080N10NM6ATMA1TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
    398Кешбэк 59 баллов
    IPB123N10N3GATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
    398Кешбэк 59 баллов
    ISC0702NLSATMA1MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
    400Кешбэк 60 баллов
    BSZ040N06LS5ATMA1MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
    402Кешбэк 60 баллов
    IPC100N04S5L1R5ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
    406Кешбэк 60 баллов
    IPD90N03S4L03ATMA1MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
    406Кешбэк 60 баллов
    BSZ16DN25NS3GATMA1MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
    408Кешбэк 61 балл
    BSZ096N10LS5ATMA1MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
    411Кешбэк 61 балл
    BSC016N06NSATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
    411Кешбэк 61 балл
    ISC0602NLSATMA1MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
    411Кешбэк 61 балл
    IPP60R190P6XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
    411Кешбэк 61 балл
    IPD380P06NMATMA1MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
    413Кешбэк 61 балл
    IPP50R190CEXKSA1MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
    415Кешбэк 62 балла
    ISC012N04NM6ATMA1TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
    419Кешбэк 62 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП