Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FQD10N20CTM

FQD10N20CTM

FQD10N20CTM
;
FQD10N20CTM

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FQD10N20CTM при покупке от 12 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQD10N20CTM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FQD10N20CTM

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 3.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    510 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    FQD10N20

Техническая документация

FQD10N20CTM.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 12 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FQD10N20CTM при покупке от 12 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQD10N20CTM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FQD10N20CTM

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 3.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    510 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    FQD10N20

Техническая документация

FQD10N20CTM.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 12 шт