Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FQD11P06TM

FQD11P06TM

FQD11P06TM
;
FQD11P06TM

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FQD11P06TM при покупке от 1 шт 275.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQD11P06TM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQD11P06TM

FQD11P06TM — это полупроводниковый MOSFET с положительным зарядом (P-канальный). Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 60В
  • Номинальный ток пропускания (ID(on)): 9,4А
  • Форм-фактор: DPAK

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря прочной конструкции DPAK.
  • Малый динамический ток шунтирования (RDS(on)) при номинальном токе.
  • Высокая скорость переключения.

Минусы:

  • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрева и перенапряжения.
  • Существует риск повреждения при неправильной эксплуатации.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в различных электронных устройствах.
  • Переключение высоких токов.
  • Использование в источниках питания.

Применяется в:

  • Мобильных устройствах (телефоны, ноутбуки).
  • Автомобилях (системы зарядки, мультимедийные системы).
  • Системах управления двигателем.
  • Электроприборах.
Выбрано: Показать

Характеристики FQD11P06TM

Техническая документация

FQD11P06TM.pdf
pdf. 0 kb
  • 1580 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    275 ₽
  • 5
    212 ₽
  • 10
    189 ₽
  • 50
    146 ₽
  • 250
    115 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FQD11P06TM при покупке от 1 шт 275.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQD11P06TM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQD11P06TM

FQD11P06TM — это полупроводниковый MOSFET с положительным зарядом (P-канальный). Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 60В
  • Номинальный ток пропускания (ID(on)): 9,4А
  • Форм-фактор: DPAK

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря прочной конструкции DPAK.
  • Малый динамический ток шунтирования (RDS(on)) при номинальном токе.
  • Высокая скорость переключения.

Минусы:

  • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрева и перенапряжения.
  • Существует риск повреждения при неправильной эксплуатации.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в различных электронных устройствах.
  • Переключение высоких токов.
  • Использование в источниках питания.

Применяется в:

  • Мобильных устройствах (телефоны, ноутбуки).
  • Автомобилях (системы зарядки, мультимедийные системы).
  • Системах управления двигателем.
  • Электроприборах.
Выбрано: Показать

Характеристики FQD11P06TM

Техническая документация

FQD11P06TM.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории