Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FQD13N06TM

FQD13N06TM

FQD13N06TM
;
FQD13N06TM

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FQD13N06TM при покупке от 1905 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQD13N06TM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQD13N06TM

FQD13N06TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 10A DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 60 В
    • Номинальный ток (ID(ON)): 10 А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Малые потери энергии при работе
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Простота управления
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать ограничения по температуре
    • Могут быть проблемы с гальваническим соединением при использовании в схемах с разными потенциалами
  • Общее назначение:
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Регулирование напряжения
    • Изоляция сигналов
    • Уменьшение колебаний в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные приборы
    • Системы питания
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики FQD13N06TM

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    140mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    310 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 28W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    FQD13N06

Техническая документация

FQD13N06TM.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 1905 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FQD13N06TM при покупке от 1905 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQD13N06TM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQD13N06TM

FQD13N06TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 10A DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 60 В
    • Номинальный ток (ID(ON)): 10 А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Малые потери энергии при работе
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Простота управления
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать ограничения по температуре
    • Могут быть проблемы с гальваническим соединением при использовании в схемах с разными потенциалами
  • Общее назначение:
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Регулирование напряжения
    • Изоляция сигналов
    • Уменьшение колебаний в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные приборы
    • Системы питания
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики FQD13N06TM

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    140mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    310 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 28W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    FQD13N06

Техническая документация

FQD13N06TM.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 1905 шт