Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FQD1N60TF

FQD1N60TF

FQD1N60TF
;
FQD1N60TF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FQD1N60TF при покупке от 781 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQD1N60TF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQD1N60TF

FQD1N60TF Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 600В
    • Номинальная токовая способность: 1А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: DPAK (Dual Plain Anodized Package)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Малый динамический ток
    • Низкий ток утечки при отключенном канале
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Существует риск повреждения при неправильной эксплуатации
    • Не подходит для высокочастотных приложений без дополнительного компенсационного сопротивления
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение тока в электрических цепях
    • Уменьшение энергопотерь в системах управления
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи
    • Электронные нагрузки
    • Модули питания
Выбрано: Показать

Характеристики FQD1N60TF

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    150 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 30W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Техническая документация

FQD1N60TF.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 781 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FQD1N60TF при покупке от 781 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQD1N60TF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQD1N60TF

FQD1N60TF Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 600В
    • Номинальная токовая способность: 1А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: DPAK (Dual Plain Anodized Package)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Малый динамический ток
    • Низкий ток утечки при отключенном канале
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Существует риск повреждения при неправильной эксплуатации
    • Не подходит для высокочастотных приложений без дополнительного компенсационного сопротивления
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение тока в электрических цепях
    • Уменьшение энергопотерь в системах управления
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи
    • Электронные нагрузки
    • Модули питания
Выбрано: Показать

Характеристики FQD1N60TF

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    150 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 30W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Техническая документация

FQD1N60TF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 781 шт