Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FQD3N60TF

FQD3N60TF

FQD3N60TF
;
FQD3N60TF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FQD3N60TF при покупке от 429 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQD3N60TF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQD3N60TF

FQD3N60TF Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 600 В
    • Номинальный ток пропускаемый при Uds=4 V: 2.4 А
    • Форм-фактор: DPAK (дроссельная катушка с разъемом)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый ток утечки
    • Простота использования
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к электрическим шумам
    • Необходимо соблюдать требования по охлаждению при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электронных цепях
    • Переключение нагрузок в цифровых устройствах
    • Регулирование напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Системы питания для ноутбуков и компьютеров
    • Инверторы для солнечных батарей
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Игровые консоли и периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики FQD3N60TF

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.6Ohm @ 1.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    450 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • по запросу
Минимально и кратно 429 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FQD3N60TF при покупке от 429 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQD3N60TF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQD3N60TF

FQD3N60TF Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 600 В
    • Номинальный ток пропускаемый при Uds=4 V: 2.4 А
    • Форм-фактор: DPAK (дроссельная катушка с разъемом)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый ток утечки
    • Простота использования
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к электрическим шумам
    • Необходимо соблюдать требования по охлаждению при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электронных цепях
    • Переключение нагрузок в цифровых устройствах
    • Регулирование напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Системы питания для ноутбуков и компьютеров
    • Инверторы для солнечных батарей
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Игровые консоли и периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики FQD3N60TF

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.6Ohm @ 1.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    450 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 429 шт