Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FQI13N06LTU

FQI13N06LTU

FQI13N06LTU
;
FQI13N06LTU

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FQI13N06LTU при покупке от 317 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQI13N06LTU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQI13N06LTU

FQI13N06LTU Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 60В
    • Размерный ток (ID): 13.6А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: I2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый ток утечки
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
    • Устойчивость к перегрузкам
  • Минусы:
    • Существуют потери на нагрев
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в источниках питания
    • Используется в системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для ноутбуков, телефонов и других устройств
    • Автомобильные системы питания
    • Устройства управления двигателем
    • Системы управления светильниками и другими приборами
Выбрано: Показать

Характеристики FQI13N06LTU

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    110mOhm @ 6.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.4 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    350 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.75W (Ta), 45W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I2PAK (TO-262)
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • по запросу
Минимально и кратно 317 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FQI13N06LTU при покупке от 317 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQI13N06LTU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQI13N06LTU

FQI13N06LTU Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 60В
    • Размерный ток (ID): 13.6А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: I2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый ток утечки
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
    • Устойчивость к перегрузкам
  • Минусы:
    • Существуют потери на нагрев
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в источниках питания
    • Используется в системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для ноутбуков, телефонов и других устройств
    • Автомобильные системы питания
    • Устройства управления двигателем
    • Системы управления светильниками и другими приборами
Выбрано: Показать

Характеристики FQI13N06LTU

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    110mOhm @ 6.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.4 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    350 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.75W (Ta), 45W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I2PAK (TO-262)
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 317 шт