Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FQI7N80TU

FQI7N80TU

FQI7N80TU
;
FQI7N80TU

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FQI7N80TU при покупке от 400 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQI7N80TU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQI7N80TU

FQI7N80TU onsemi MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Размеры пакета: I2PAK
    • Ток при рабочем напряжении: 6.6А
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость в интеграции
    • Высокий КПД
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными MOSFET
    • Требуется дополнительное охлаждение для больших токов
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах, требующих управления током
    • Применяется в системах питания, преобразователях и регуляторах напряжения
    • Подходит для использования в инверторах и других устройствах, где требуется высокая эффективность и надежность
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание компьютеров и серверов
    • Промышленные системы управления
    • Системы управления двигателей
    • Солнечные панели и системы энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики FQI7N80TU

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5Ohm @ 3.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1850 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.13W (Ta), 167W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I2PAK (TO-262)
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Product Number
    FQI7N80

Техническая документация

FQI7N80TU.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 400 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FQI7N80TU при покупке от 400 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQI7N80TU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQI7N80TU

FQI7N80TU onsemi MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Размеры пакета: I2PAK
    • Ток при рабочем напряжении: 6.6А
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость в интеграции
    • Высокий КПД
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными MOSFET
    • Требуется дополнительное охлаждение для больших токов
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах, требующих управления током
    • Применяется в системах питания, преобразователях и регуляторах напряжения
    • Подходит для использования в инверторах и других устройствах, где требуется высокая эффективность и надежность
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание компьютеров и серверов
    • Промышленные системы управления
    • Системы управления двигателей
    • Солнечные панели и системы энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики FQI7N80TU

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5Ohm @ 3.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1850 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.13W (Ta), 167W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I2PAK (TO-262)
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Product Number
    FQI7N80

Техническая документация

FQI7N80TU.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 400 шт