Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FQP13N06
FQP13N06

FQP13N06

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    FQP13N06
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FQP13N06 при покупке от 728 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQP13N06 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FQP13N06

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    135mOhm @ 6.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    310 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    45W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • В избранное
  • В сравнение
  • 79627 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 728
    78 ₽

Минимально и кратно 728 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    FQP13N06
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FQP13N06 при покупке от 728 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQP13N06 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FQP13N06

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    135mOhm @ 6.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    310 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    45W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPP100N04S303AKSA1MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
    HUFA76423D3STMOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
    IRLL110TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
    5LP01S-TL-E5LP01S - P-CHANNEL SMALL SIGNAL
    BFL4001-1EXMOSFET N-CH 900V 6.5A TO220-3 FP
    IPD040N03LGATMA1MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
    NTP65N02RMOSFET N-CH 25V 7.6A/58A TO220AB
    SIHG33N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
    IXTP15N50L2MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB
    NTD4904NT4GMOSFET N-CH 30V 13A/79A DPAK
    IRFU420PBFMOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
    STB9NK80ZMOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
    IRFR5305TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
    DMN61D8LQ-7MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
    ZVNL120GTAMOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
    IRF1405ZLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
    ZXMN2A02N8TAMOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO
    IRF640NSPBFMOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
    FQPF7N80CMOSFET N-CH 800V 6.6A TO220F
    NTGS3443T1GMOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
    PSMN3R0-30YL,115Транзистор: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    BUK9523-75A,127MOSFET N-CH 75V 53A TO220AB
    STFI7N80K5MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
    RUF025N02TLMOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
    ZXMN6A11GTAMOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
    SI8817DB-T2-E1MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
    BSS123NH6327XTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
    NTB22N06T4MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
    CSD16404Q5AMOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON
    FDD5810MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Драйверы питания - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП