Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FQP47P06
  • В избранное
  • В сравнение
FQP47P06

FQP47P06

FQP47P06
;
FQP47P06

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    UMW
  • Артикул:
    FQP47P06
  • Описание:
    MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FQP47P06 при покупке от 1 шт 311.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQP47P06 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQP47P06

FQP47P06 UMW MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3 — это полупроводниковый транзистор с положительным зарядом каналов (P-канальный), используемый для управления током. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 60В
  • Номинальный ток коллектора (IDM): 47А
  • Тип корпуса: TO220-3

Плюсы:

  • Высокая проводимость при включенном состоянии
  • Низкое сопротивление резистора ON
  • Устойчивость к высоким напряжениям
  • Компактный корпус TO220-3

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
  • Высокие потери при частотах работы
  • Наличие емкости между каналами

Общее назначение: Используется для управления током в различных электронных устройствах, таких как источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, схемы управления двигателей.

Применяется в:

  • Источниках питания
  • Инверторах
  • Преобразователях напряжения
  • Схемах управления двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики FQP47P06

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    47A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    26mOhm @ 23.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    110 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3600 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    160W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    FQP47

Техническая документация

 FQP47P06.pdf
pdf. 0 kb
  • 517 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    311 ₽
  • 10
    197 ₽
  • 100
    132 ₽
  • 1000
    95 ₽
  • 5000
    79 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    UMW
  • Артикул:
    FQP47P06
  • Описание:
    MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FQP47P06 при покупке от 1 шт 311.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQP47P06 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQP47P06

FQP47P06 UMW MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3 — это полупроводниковый транзистор с положительным зарядом каналов (P-канальный), используемый для управления током. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 60В
  • Номинальный ток коллектора (IDM): 47А
  • Тип корпуса: TO220-3

Плюсы:

  • Высокая проводимость при включенном состоянии
  • Низкое сопротивление резистора ON
  • Устойчивость к высоким напряжениям
  • Компактный корпус TO220-3

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
  • Высокие потери при частотах работы
  • Наличие емкости между каналами

Общее назначение: Используется для управления током в различных электронных устройствах, таких как источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, схемы управления двигателей.

Применяется в:

  • Источниках питания
  • Инверторах
  • Преобразователях напряжения
  • Схемах управления двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики FQP47P06

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    47A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    26mOhm @ 23.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    110 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3600 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    160W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    FQP47

Техническая документация

 FQP47P06.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTJS4151PT1GMOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
    58Кешбэк 8 баллов
    MMDF3N02HDR2MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC
    389Кешбэк 58 баллов
    FQP6N80CPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
    376Кешбэк 56 баллов
    FQPF27P06MOSFET P-CH 60V 17A TO220F
    484Кешбэк 72 балла
    RFD16N06LESM9AMOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
    252Кешбэк 37 баллов
    HUF75344G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
    832Кешбэк 124 балла
    FDA59N30Транзистор: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
    941Кешбэк 141 балл
    FDP51N25MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
    539Кешбэк 80 баллов
    FDPF20N50FTMOSFET N-CH 500V 20A TO220F
    778Кешбэк 116 баллов
    HUF75545P3Транзистор: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
    356Кешбэк 53 балла
    RFD14N05LSMMOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
    162Кешбэк 24 балла
    MTP3055VMOSFET N-CH 60V 12A TO220AB
    208Кешбэк 31 балл
    FDP2532MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
    747Кешбэк 112 баллов
    FQP45N15V2MOSFET N-CH 150V 45A TO220-3
    545Кешбэк 81 балл
    FCPF400N80ZMOSFET N-CH 800V 11A TO220F
    586Кешбэк 87 баллов
    FQP17P06MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3
    224Кешбэк 33 балла
    FDD4243MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
    178Кешбэк 26 баллов
    FDP047AN08A0MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
    721Кешбэк 108 баллов
    FDPF51N25MOSFET N-CH 250V 51A TO220F
    502Кешбэк 75 баллов
    FDY300NZMOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
    78Кешбэк 11 баллов
    FDP42AN15A0MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3
    547Кешбэк 82 балла
    MGSF1N02LT1GMOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
    78Кешбэк 11 баллов
    FDD8647LMOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK
    258Кешбэк 38 баллов
    FDPF18N50TMOSFET N-CH 500V 18A TO220F
    745Кешбэк 111 баллов
    FDP075N15A_F102MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
    717Кешбэк 107 баллов
    FCP20N60MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
    862Кешбэк 129 баллов
    FDPF18N50MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
    552Кешбэк 82 балла
    FQPF2N60CMOSFET N-CH 600V 2A TO220F
    334Кешбэк 50 баллов
    NDP6060LMOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
    610Кешбэк 91 балл
    NTP18N06LGMOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
    222Кешбэк 33 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Принадлежности
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП