Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FQPF27P06
  • В избранное
  • В сравнение
FQPF27P06

FQPF27P06

FQPF27P06
;
FQPF27P06

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FQPF27P06
  • Описание:
    MOSFET P-CH 60V 17A TO220FВсе характеристики

Минимальная цена FQPF27P06 при покупке от 1 шт 487.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQPF27P06 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQPF27P06

FQPF27P06 ON SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 60V 17A TO220F

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Ток непрерывного тока: 17А
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Канал: P-канальный
    • Форм-фактор: TO220F
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малое энергетическое затухание
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Легкость управления
  • Минусы:
    • Относительно высокие потери при работе в режиме переключения
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения для предотвращения перегрева
    • Требуется дополнительная защита от повреждений (например, защита от обратного разряда)
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение тока в источниках питания
    • Изоляция сигналов в цифровых системах
    • Управление мощностью в различных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики FQPF27P06

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70mOhm @ 8.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    43 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1400 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    47W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220F-3
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack

Техническая документация

 FQPF27P06.pdf
pdf. 0 kb
  • 139 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    487 ₽
  • 10
    343 ₽
  • 50
    254 ₽
  • 100
    230 ₽
  • 250
    206 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FQPF27P06
  • Описание:
    MOSFET P-CH 60V 17A TO220FВсе характеристики

Минимальная цена FQPF27P06 при покупке от 1 шт 487.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQPF27P06 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQPF27P06

FQPF27P06 ON SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 60V 17A TO220F

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Ток непрерывного тока: 17А
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Канал: P-канальный
    • Форм-фактор: TO220F
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малое энергетическое затухание
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Легкость управления
  • Минусы:
    • Относительно высокие потери при работе в режиме переключения
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения для предотвращения перегрева
    • Требуется дополнительная защита от повреждений (например, защита от обратного разряда)
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение тока в источниках питания
    • Изоляция сигналов в цифровых системах
    • Управление мощностью в различных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики FQPF27P06

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70mOhm @ 8.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    43 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1400 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    47W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220F-3
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack

Техническая документация

 FQPF27P06.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FQI10N60CTUMOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
    246Кешбэк 36 баллов
    FDMS2510SDCMOSFET N-CH 25V 28A/49A DLCOOL56
    246Кешбэк 36 баллов
    FQU3P20TUMOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK
    246Кешбэк 36 баллов
    FDMS8690MOSFET N-CH 30V 14A/27A 8MLP
    248Кешбэк 37 баллов
    FQI50N06LTUMOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
    248Кешбэк 37 баллов
    HUF75831SK8TMOSFET N-CH 150V 3A 8SOIC
    248Кешбэк 37 баллов
    HUFA75343G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
    248Кешбэк 37 баллов
    FDMS2508SDCMOSFET N-CH 25V 34A/49A DLCOOL56
    250Кешбэк 37 баллов
    HUFA75842P3MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
    250Кешбэк 37 баллов
    HUF75545S3MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK
    250Кешбэк 37 баллов
    HUFA75344S3MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
    254Кешбэк 38 баллов
    FDD2570MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
    256Кешбэк 38 баллов
    FDPF7N50UMOSFET N-CH 500V 5A TO220F
    258Кешбэк 38 баллов
    FDMS8660ASMOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN
    258Кешбэк 38 баллов
    FDW258PMOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP
    258Кешбэк 38 баллов
    HUFA76445S3SMOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
    259Кешбэк 38 баллов
    FQB25N33TMMOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
    261Кешбэк 39 баллов
    FDMS0308CSMOSFET N-CH 30V 22A 8PQFN
    261Кешбэк 39 баллов
    FQB8N60CFTMMOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
    261Кешбэк 39 баллов
    FCU850N80ZMOSFET N-CH 800V 6A IPAK
    263Кешбэк 39 баллов
    FQP2N60MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
    267Кешбэк 40 баллов
    FDP13AN06A0MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220
    267Кешбэк 40 баллов
    FDP120AN15A0MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
    267Кешбэк 40 баллов
    FQAF17P10MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
    267Кешбэк 40 баллов
    HUFA75842S3SMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    267Кешбэк 40 баллов
    FQPF9N50CMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
    269Кешбэк 40 баллов
    FDP5690MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3
    269Кешбэк 40 баллов
    FDW264PMOSFET P-CH 20V 9.7A 8TSSOP
    269Кешбэк 40 баллов
    FCI11N60
    272Кешбэк 40 баллов
    HUFA76437S3STMOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
    272Кешбэк 40 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды силовые
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП