Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FQPF7P20
  • В избранное
  • В сравнение
FQPF7P20

FQPF7P20

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FQPF7P20
  • Описание:
    MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220FВсе характеристики

Минимальная цена FQPF7P20 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQPF7P20 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FQPF7P20

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    690mOhm @ 2.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    770 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    45W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220F-3
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    FQPF7

Техническая документация

 FQPF7P20.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FQPF7P20
  • Описание:
    MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220FВсе характеристики

Минимальная цена FQPF7P20 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQPF7P20 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FQPF7P20

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    690mOhm @ 2.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    770 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    45W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220F-3
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    FQPF7

Техническая документация

 FQPF7P20.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXTA460P2MOSFET N-CH 500V 24A TO263
    1 191Кешбэк 178 баллов
    AUIRLZ44ZMOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
    264Кешбэк 39 баллов
    STP12N60M2MOSFET N-CH 600V 9A TO220
    283Кешбэк 42 балла
    CPH6337-TL-EMOSFET P-CH 12V 3.5A 6CPH
    46Кешбэк 6 баллов
    IRLM120ATFMOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
    70Кешбэк 10 баллов
    TPN2R203NC,L1QMOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
    255Кешбэк 38 баллов
    QS5U16TRMOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
    181Кешбэк 27 баллов
    CSD17575Q3MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
    281Кешбэк 42 балла
    STD7LN80K5MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
    459Кешбэк 68 баллов
    IRF6716MTRPBF
    311Кешбэк 46 баллов
    FCPF11N60T11A, 600V, 0.38OHM, N-CHANNEL,
    830Кешбэк 124 балла
    NTMFS4922NET1GMOSFET N-CH 30V 17.1A/147A 5DFN
    272Кешбэк 40 баллов
    BSH202,215MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB
    33Кешбэк 4 балла
    STP80NF10FPТранзистор: MOSFET N-CH 100V 38A TO220FP
    457Кешбэк 68 баллов
    IRFP250PBFMOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
    512Кешбэк 76 баллов
    NTMFS4119NT3GMOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
    163Кешбэк 24 балла
    IRF644PBFТранзистор: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
    281Кешбэк 42 балла
    STU12N60M2MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
    460Кешбэк 69 баллов
    SSM3K318R,LFMOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
    96Кешбэк 14 баллов
    SPP15N60C3XKSA1MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
    817Кешбэк 122 балла
    FQI11P06TUMOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK
    91Кешбэк 13 баллов
    STD4N62K3MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
    483Кешбэк 72 балла
    FDBL0065N40MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
    878Кешбэк 131 балл
    FDS86141MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
    358Кешбэк 53 балла
    RFD12N06RLESM9AMOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
    196Кешбэк 29 баллов
    STH310N10F7-2MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
    999Кешбэк 149 баллов
    IRF3710PBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
    394Кешбэк 59 баллов
    ZXMN2B01FTAMOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
    108Кешбэк 16 баллов
    IPD30N08S222ATMA1MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
    355Кешбэк 53 балла
    FQP47P06MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
    311Кешбэк 46 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП