Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FQU1N80TU

FQU1N80TU

FQU1N80TU
;
FQU1N80TU

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FQU1N80TU при покупке от 3772 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQU1N80TU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQU1N80TU

FQU1N80TU onsemi MOSFET N-CH 800В 1А I-PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала: 800В
    • Номинальная токовая способность (IDS(on)): 1А
    • Пакет: I-PAK
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Короткий токовый затухающий путь для быстрого переключения
    • Простота применения и монтажа благодаря стандартному пакету I-PAK
  • Минусы:
    • Низкая токовая способность по сравнению с IGBT или силовыми транзисторами
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в системах управления двигателем
    • Используется в источниках питания
    • Участвует в конвертерах напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Системах управления двигателей
    • Источниках питания для компьютеров и серверов
    • Конвертерах напряжения для домашних приборов
    • Промышленных системах управления
Выбрано: Показать

Характеристики FQU1N80TU

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    195 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 45W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I-PAK
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Product Number
    FQU1N80

Техническая документация

FQU1N80TU.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 3772 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FQU1N80TU при покупке от 3772 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQU1N80TU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQU1N80TU

FQU1N80TU onsemi MOSFET N-CH 800В 1А I-PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала: 800В
    • Номинальная токовая способность (IDS(on)): 1А
    • Пакет: I-PAK
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Короткий токовый затухающий путь для быстрого переключения
    • Простота применения и монтажа благодаря стандартному пакету I-PAK
  • Минусы:
    • Низкая токовая способность по сравнению с IGBT или силовыми транзисторами
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в системах управления двигателем
    • Используется в источниках питания
    • Участвует в конвертерах напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Системах управления двигателей
    • Источниках питания для компьютеров и серверов
    • Конвертерах напряжения для домашних приборов
    • Промышленных системах управления
Выбрано: Показать

Характеристики FQU1N80TU

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    195 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 45W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I-PAK
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Product Number
    FQU1N80

Техническая документация

FQU1N80TU.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 3772 шт