Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FQU3N40TU

FQU3N40TU

FQU3N40TU
;
FQU3N40TU

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FQU3N40TU при покупке от 429 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQU3N40TU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQU3N40TU

FQU3N40TU Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS-полупроводниковый транзистор)
    • Тип полярности: N-канальный
    • Рабочее напряжение: 400В
    • Рабочая токовая способность: 2А
    • Форм-фактор: IPAK (Интегрированная пластиковая оболочка)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое сопротивление в ON-состоянии
    • Малые размеры и вес
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к ударным нагрузкам
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют дополнительного охлаждения при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулировка и управление электрическими цепями
    • Переключение высоких напряжений и токов
    • Изоляция сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Электронных устройствах
    • Мощных источниках питания
    • Инверторах
    • Системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики FQU3N40TU

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    400 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    230 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 30W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I-PAK
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Техническая документация

FQU3N40TU.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 429 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FQU3N40TU при покупке от 429 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQU3N40TU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQU3N40TU

FQU3N40TU Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS-полупроводниковый транзистор)
    • Тип полярности: N-канальный
    • Рабочее напряжение: 400В
    • Рабочая токовая способность: 2А
    • Форм-фактор: IPAK (Интегрированная пластиковая оболочка)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое сопротивление в ON-состоянии
    • Малые размеры и вес
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к ударным нагрузкам
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют дополнительного охлаждения при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулировка и управление электрическими цепями
    • Переключение высоких напряжений и токов
    • Изоляция сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Электронных устройствах
    • Мощных источниках питания
    • Инверторах
    • Системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики FQU3N40TU

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    400 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    230 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 30W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I-PAK
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Техническая документация

FQU3N40TU.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 429 шт