FQU4N50TU-WS

Маркировка FQU4N50TU-WS, производитель ON Semiconductor

• MOSFET N-канальный
• Рабочее напряжение (V_DS(ON)) 500В
• Рейтинговый ток 2.6А
• Форм-фактор IPAK

Основные параметры:

• V_GS(th): 4В (пороговое напряжение)
• R_DS(on): 1.8Ω при V_GS=10V (сопротивление при проходящем токе)

Плюсы:

• Высокое рабочее напряжение (500В)
• Высокий ток пропускания (2.6А)
• Малый размер и легкость из-за компактного форм-фактора IPAK
• Низкое сопротивление при проходящем токе

Минусы:

• Высокие потери при низком напряжении, что может быть проблемой для некоторых приложений
• Требует использования радиатора для эффективного охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение:

• Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током с высоким напряжением
• Подходит для применения в преобразователях напряжения, инверторах, стабилизаторах питания, схемах управления двигателями

Применяется в:

• Автомобильной электронике
• Мощных преобразователях
• Системах управления двигателем
• Питательных блоках для компьютеров и серверов