Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - модули
FS150R07N3E4BOSA1
  • В избранное
  • В сравнение
FS150R07N3E4BOSA1

FS150R07N3E4BOSA1

FS150R07N3E4BOSA1
;
FS150R07N3E4BOSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FS150R07N3E4BOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 650V 150A 430WВсе характеристики

Минимальная цена FS150R07N3E4BOSA1 при покупке от 1 шт 18949.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FS150R07N3E4BOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FS150R07N3E4BOSA1

FS150R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies ИGBT модуль:

  • Номинальное напряжение: 650В
  • Номинальный ток: 150А
  • Мощность: 430ВА

Основные параметры:

  • Коэффициент усиления (β): не указан, но обычно для IGBT он составляет от 20 до 80
  • Предел температуры: от -40°C до +150°C
  • Частота работы: до 100 кГц

Плюсы:

  • Высокая эффективность
  • Долгий срок службы
  • Малый размер и вес
  • Устойчивость к перегрузкам

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения
  • Высокие требования к проектированию и монтажу
  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов

Общее назначение:

  • Применяется в промышленных преобразователях частоты
  • Используется в системах управления двигателем
  • Входит в состав инверторов для солнечных панелей
  • Применяется в электроприводах для машиностроения и металлургии
Выбрано: Показать

Характеристики FS150R07N3E4BOSA1

  • Package
    Bulk
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    Three Phase Inverter
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    150 A
  • Рассеивание мощности
    430 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.95V @ 15V, 150A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    9.3 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FS150R07

Техническая документация

 FS150R07N3E4BOSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 9 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    18 949 ₽
  • 10
    15 734 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FS150R07N3E4BOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 650V 150A 430WВсе характеристики

Минимальная цена FS150R07N3E4BOSA1 при покупке от 1 шт 18949.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FS150R07N3E4BOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FS150R07N3E4BOSA1

FS150R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies ИGBT модуль:

  • Номинальное напряжение: 650В
  • Номинальный ток: 150А
  • Мощность: 430ВА

Основные параметры:

  • Коэффициент усиления (β): не указан, но обычно для IGBT он составляет от 20 до 80
  • Предел температуры: от -40°C до +150°C
  • Частота работы: до 100 кГц

Плюсы:

  • Высокая эффективность
  • Долгий срок службы
  • Малый размер и вес
  • Устойчивость к перегрузкам

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения
  • Высокие требования к проектированию и монтажу
  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов

Общее назначение:

  • Применяется в промышленных преобразователях частоты
  • Используется в системах управления двигателем
  • Входит в состав инверторов для солнечных панелей
  • Применяется в электроприводах для машиностроения и металлургии
Выбрано: Показать

Характеристики FS150R07N3E4BOSA1

  • Package
    Bulk
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    Three Phase Inverter
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    150 A
  • Рассеивание мощности
    430 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.95V @ 15V, 150A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    9.3 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FS150R07

Техническая документация

 FS150R07N3E4BOSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FS50R12W2T4BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 83A 335W
    8 243Кешбэк 1 236 баллов
    FS50R12W2T4B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 83A 335W
    8 243Кешбэк 1 236 баллов
    FP25R12W2T7BPSA1Транзистор: LOW POWER EASY AG-EASY2B-711
    8 274Кешбэк 1 241 балл
    FP25R12W2T7B11BPSA1Транзистор: LOW POWER EASY
    8 274Кешбэк 1 241 балл
    FP25R12W1T7PBPSA1Транзистор: LOW POWER EASY AG-EASY1B-711
    8 461Кешбэк 1 269 баллов
    FP35R12W2T7BPSA1Транзистор: LOW POWER EASY AG-EASY2B-711
    8 943Кешбэк 1 341 балл
    FP35R12W2T7B11BOMA1Транзистор: LOW POWER EASY
    8 943Кешбэк 1 341 балл
    DF150R12W1H3FB11BOMA1Транзистор: IGBT MODULE LOW POWER EASY
    9 052Кешбэк 1 357 баллов
    FP35R12W2T4BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 54A 215W
    9 245Кешбэк 1 386 баллов
    FP15R12KE3GBOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 25A 105W
    9 313Кешбэк 1 396 баллов
    FS3L30R07W2H3FB11BPSA2Транзистор: IGBT MOD 650V 30A 20MW
    9 410Кешбэк 1 411 баллов
    FS75R12W2T7B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A
    9 425Кешбэк 1 413 баллов
    FS3L25R12W2H3B11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 40A 175W
    9 499Кешбэк 1 424 балла
    FP50R12W2T7BPSA1Транзистор: LOW POWER EASY AG-EASY2B-711
    9 545Кешбэк 1 431 балл
    FP50R12W2T7B11BOMA1Транзистор: LOW POWER EASY
    9 545Кешбэк 1 431 балл
    FP25R12W2T4PBPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 50A 20MW
    9 695Кешбэк 1 454 балла
    FP35R12W2T4B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 54A 215W
    10 041Кешбэк 1 506 баллов
    FS75R12W2T4BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 107A 375W
    10 049Кешбэк 1 507 баллов
    F3L100R12W2H3B11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 375W
    10 080Кешбэк 1 512 баллов
    FP25R12W2T4PB11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 50A 20MW
    10 740Кешбэк 1 611 баллов
    FS50R06KE3BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311
    10 794Кешбэк 1 619 баллов
    DF80R12W2H3FB11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 20A 20MW
    10 955Кешбэк 1 643 балла
    FP35R12W2T4PB11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 70A 20MW
    11 181Кешбэк 1 677 баллов
    FP50R07U1E4BPSA1Транзистор: IGBT MODULE 650V 75A 230W
    11 279Кешбэк 1 691 балл
    F3L150R12W2H3B11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 500W
    11 309Кешбэк 1 696 баллов
    F3L15R12W2H3B27BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 20A 145W
    11 690Кешбэк 1 753 балла
    F3L225R07W2H3PB63BPSA1Транзистор: MODULE IGBT 700V EASY2B-2
    11 746Кешбэк 1 761 балл
    FS75R12W2T4B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 107A 375W
    11 766Кешбэк 1 764 балла
    FS50R06KE3BOSA1Транзистор: IGBT MODULE 600V 70A 190W
    11 846Кешбэк 1 776 баллов
    FP30R06KE3BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2C-311
    11 962Кешбэк 1 794 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП