FS150R12KT4PB11BPSA1

FS150R12KT4PB11BPSA1 Infineon Technologies Транзистор: MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4

• Основные параметры:
  • Мощность (R_thJC): 1,7 К^°C/W
  • Уровень напряжения при открытом коллекторе (U_cebo): 1200 В
  • Максимальная токовая способность (I_cm): 150 А
  • Частота работы (f_max): до 10 кГц
  • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Низкопотребительский режим
  • Производитель: Infineon Technologies
• Плюсы:
  • Высокая эффективность в низковольтных системах
  • Малый тепловой сопротивление
  • Долгий срок службы благодаря надежной технологии производства
  • Низкое энергопотребление
• Минусы:
  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрева
• Общее назначение:
  • Применяется в различных электронных устройствах, где требуется высокая эффективность и надежность
  • Используется в промышленных системах управления, электропитании, преобразователях мощности
  • Подходит для автомобильной индустрии, где важна экономичность и производительность
• В каких устройствах применяется:
  • Преобразователи напряжения
  • Инверторы для двигателей
  • Системы управления промышленным оборудованием
  • Автомобильные системы управления
  • Энергосберегающие приборы