FS30ASJ-2-T13#B00

Транзистор FS30ASJ-2-T13#B00 Renesas Electronics Corporation

• Тип: HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL MOSFET
• Основные параметры:
  • VDS (максимальное напряжение между дреном и сгущением): 30 В
  • ID (максимальный ток дрен-сгущения): 4 A
  • RDS(ON) (сопротивление в режиме включения): 6.5 mΩ при VGS = 10 В
  • Qg (параметрический заряд): 17 nC при VGS = 10 В
• Плюсы:
  • Высокая скорость переключения
  • Низкое сопротивление в режиме включения
  • Малый параметрический заряд
  • Надежность и стабильность работы
• Минусы:
  • Высокие цены по сравнению с обычными транзисторами
  • Уязвимость к электрическим ударам
• Общее назначение:
  • Переключение высоковольтных нагрузок
  • Контроль тока в различных электронных устройствах
  • Использование в системах управления двигателей
• Применение:
  • Автомобильная электроника
  • Системы управления двигателей
  • Инверторы
  • Промышленное оборудование