Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - модули
FS500R17OE4DPBOSA1
  • В избранное
  • В сравнение
FS500R17OE4DPBOSA1

FS500R17OE4DPBOSA1

FS500R17OE4DPBOSA1
;
FS500R17OE4DPBOSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FS500R17OE4DPBOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1700V 1000A 20MWВсе характеристики

Минимальная цена FS500R17OE4DPBOSA1 при покупке от 1 шт 145629.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FS500R17OE4DPBOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FS500R17OE4DPBOSA1

FS500R17OE4DPBOSA1 Infineon Technologies ИГБТ:

  • Модуль ИГБТ
  • Рейтинг напряжения: 1700В
  • Рейтинг тока: 1000А
  • Мощность: 20МВт

Основные параметры:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегреву
  • Плавкий предохранитель встроен
  • Минимальное количество контактов для надежной работы

Плюсы:

  • Высокая эффективность в работе
  • Низкое сопротивление ведущего канала
  • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
  • Малый размер и легкость установки

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Сложность в проектировании систем с ИГБТ из-за специфических требований к проектированию и контролю качества

Общее назначение:

  • Использование в больших электрических системах
  • Для управления мощными электрическими нагрузками
  • В промышленных приборах и машинах
  • Для преобразования напряжений и частот в энергетической индустрии

Применяется в:

  • Энергосистемах и генераторах
  • Электроприводах и трансформаторах
  • Автомобильной индустрии (например, в системах управления двигателем)
  • Инверторах для управления переменным током
Выбрано: Показать

Характеристики FS500R17OE4DPBOSA1

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    Full Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1000 A
  • Рассеивание мощности
    20 mW
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 500A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    3 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    40 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FS500R17

Техническая документация

 FS500R17OE4DPBOSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 562 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    145 629 ₽
  • 4
    121 746 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FS500R17OE4DPBOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1700V 1000A 20MWВсе характеристики

Минимальная цена FS500R17OE4DPBOSA1 при покупке от 1 шт 145629.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FS500R17OE4DPBOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FS500R17OE4DPBOSA1

FS500R17OE4DPBOSA1 Infineon Technologies ИГБТ:

  • Модуль ИГБТ
  • Рейтинг напряжения: 1700В
  • Рейтинг тока: 1000А
  • Мощность: 20МВт

Основные параметры:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегреву
  • Плавкий предохранитель встроен
  • Минимальное количество контактов для надежной работы

Плюсы:

  • Высокая эффективность в работе
  • Низкое сопротивление ведущего канала
  • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
  • Малый размер и легкость установки

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Сложность в проектировании систем с ИГБТ из-за специфических требований к проектированию и контролю качества

Общее назначение:

  • Использование в больших электрических системах
  • Для управления мощными электрическими нагрузками
  • В промышленных приборах и машинах
  • Для преобразования напряжений и частот в энергетической индустрии

Применяется в:

  • Энергосистемах и генераторах
  • Электроприводах и трансформаторах
  • Автомобильной индустрии (например, в системах управления двигателем)
  • Инверторах для управления переменным током
Выбрано: Показать

Характеристики FS500R17OE4DPBOSA1

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    Full Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1000 A
  • Рассеивание мощности
    20 mW
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 500A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    3 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    40 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FS500R17

Техническая документация

 FS500R17OE4DPBOSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FP50R12W2T7B11BOMA1Транзистор: LOW POWER EASY
    9 545Кешбэк 1 431 балл
    FP75R12KT4PB11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 150A 20MW
    21 419Кешбэк 3 212 баллов
    FS200R12KT4RPB11BPSA1Транзистор: IGBT MODULE LOW PWR ECONO3-4
    24 900Кешбэк 3 735 баллов
    FS450R12OE4PBOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 900A 20MW
    74 105Кешбэк 11 115 баллов
    FS450R17OE4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 630A 2400W
    97 072Кешбэк 14 560 баллов
    FF1000R17IE4PBOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 1000A
    106 269Кешбэк 15 940 баллов
    FF1200R17IP5BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 1200A 20MW
    154 648Кешбэк 23 197 баллов
    FF200R12KE3B2HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 295A 1050W
    21 546Кешбэк 3 231 балл
    IFF2400P17LE4BPSA1IGBT MODULE 1700V IPM MIPAQP-4
    492 464Кешбэк 73 869 баллов
    IFS100B12N3E4PB11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 150A 515W
    20 402Кешбэк 3 060 баллов
    FZ1800R17HE4B9HOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 1800A
    156 958Кешбэк 23 543 балла
    FP100R12KT4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 515W
    23 018Кешбэк 3 452 балла
    FS300R12KE3BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 500A 1450W
    89 636Кешбэк 13 445 баллов
    FS950R08A6P2BBPSA1Транзистор: IGBT MODULE 750V 950A
    63 026Кешбэк 9 453 балла
    FP150R12N3T7PB11BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO
    36 560Кешбэк 5 484 балла
    FD250R65KE3KNOSA1Транзистор: IGBT MOD 6500V 250A 4800W
    274 174Кешбэк 41 126 баллов
    FD800R45KL3KB5NPSA1Транзистор: IGBT MOD 4500V 800A 9000W
    367 763Кешбэк 55 164 балла
    FF1200R12IE5PBPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 2400A 20MW
    112 412Кешбэк 16 861 балл
    FF1500R17IP5PBPSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 1500A AGPRIME3+-5
    157 591Кешбэк 23 638 баллов
    FF450R12IE4BOSA2Транзистор: IGBT MOD 1200V 450A 2550W
    77 519Кешбэк 11 627 баллов
    DF1000R17IE4PBPSA1Транзистор: PP IHM I XHP 1 7KV
    112 522Кешбэк 16 878 баллов
    FF600R12KT4HOSA1Транзистор: 62MM POWER MODULE 1200 V WITH IG
    29 924Кешбэк 4 488 баллов
    FF650R17IE4DPB2BOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 650A
    97 176Кешбэк 14 576 баллов
    FF800R12KE3NOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 1200A 3900W
    140 467Кешбэк 21 070 баллов
    FP25R12W2T7B11BPSA1Транзистор: LOW POWER EASY
    8 274Кешбэк 1 241 балл
    FS75R12KT4B11BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 385W
    27 790Кешбэк 4 168 баллов
    FZ1200R17HP4HOSA2Транзистор: IGBT MOD 1700V 1200A 7800W
    104 642Кешбэк 15 696 баллов
    FZ1200R17HP4B2BOSA2Транзистор: IGBT MOD 1700V 1200A 7800W
    170 777Кешбэк 25 616 баллов
    FZ1600R17KE3NOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 2300A 8950W
    147 659Кешбэк 22 148 баллов
    FF800R17KP4B2NOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 800A
    162 314Кешбэк 24 347 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП