FS50KM-2-J1#E51

FS50KM-2-J1#E51 Renesas Electronics Corporation DISCRETE / POWER MOSFET

• Основные параметры:
• Максимальное напряжение V_DS (drain-source voltage): 50 В
• Максимальная токовая способность I_D (drain current): 45 А
• Тип: Power MOSFET (discrete)
• Плюсы:
• Высокая проводимость при открытом канале
• Низкий ток срабатывания (гейт-эмиттер)
• Устойчивость к переносу заряда
• Простота управления и применения
• Минусы:
• Существование паразитных элементов
• Зависимость характеристики от температуры
• При отключении может возникать емкость между дреном и эмиттером
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения
• Контроль тока в электронных устройствах
• Изменение состояния нагрузки
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Питание электронных устройств
• Системы питания для компьютеров
• Переходники и адаптеры для зарядки
• Электронные устройства бытовой техники