Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
FUE30-12N1
  • В избранное
  • В сравнение
FUE30-12N1

FUE30-12N1

FUE30-12N1
;
FUE30-12N1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    FUE30-12N1
  • Описание:
    Диод: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A I4-PACВсе характеристики

Минимальная цена FUE30-12N1 при покупке от 1 шт 4385.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FUE30-12N1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FUE30-12N1

FUE30-12N1 IXYS Диод: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A I4-PAC

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение (VBR): 1.2 кВ
    • Разрядное токовое ограничение (I4-PAC): 30 А
    • Количество диодов в мосту: 4
    • Конструкция: однополюсная (1P)
  • Плюсы:
    • Высокое рабочее напряжение
    • Высокая разрядная способность
    • Стабильная работа при различных температурных условиях
    • Экономичное использование пространства благодаря компактному размеру
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными диодами
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный (BRIDGE RECT)
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Использование в источниках питания
    • Работа в сетях переменного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Устройства преобразования энергии
    • Автомобильные аккумуляторные системы
    • Мощные электронные устройства
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики FUE30-12N1

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1.2 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    30 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2.37 V @ 10 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 µA @ 1200 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    i4-Pac™-5
  • Исполнение корпуса
    ISOPLUS i4-PAC™
  • Base Product Number
    FUE30

Техническая документация

 FUE30-12N1.pdf
pdf. 0 kb
  • 104 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    4 385 ₽
  • 10
    2 851 ₽
  • 100
    2 594 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    FUE30-12N1
  • Описание:
    Диод: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A I4-PACВсе характеристики

Минимальная цена FUE30-12N1 при покупке от 1 шт 4385.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FUE30-12N1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FUE30-12N1

FUE30-12N1 IXYS Диод: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A I4-PAC

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение (VBR): 1.2 кВ
    • Разрядное токовое ограничение (I4-PAC): 30 А
    • Количество диодов в мосту: 4
    • Конструкция: однополюсная (1P)
  • Плюсы:
    • Высокое рабочее напряжение
    • Высокая разрядная способность
    • Стабильная работа при различных температурных условиях
    • Экономичное использование пространства благодаря компактному размеру
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными диодами
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный (BRIDGE RECT)
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Использование в источниках питания
    • Работа в сетях переменного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Устройства преобразования энергии
    • Автомобильные аккумуляторные системы
    • Мощные электронные устройства
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики FUE30-12N1

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1.2 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    30 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2.37 V @ 10 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 µA @ 1200 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    i4-Pac™-5
  • Исполнение корпуса
    ISOPLUS i4-PAC™
  • Base Product Number
    FUE30

Техническая документация

 FUE30-12N1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBU606-GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU
    356Кешбэк 53 балла
    GUO40-12NO1Диод: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 40A GUFP
    3 359Кешбэк 503 балла
    EDF1DM-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFM
    256Кешбэк 38 баллов
    GBJ2501-FBRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBJ
    484Кешбэк 72 балла
    VS-KBPC610PBFBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A D-72
    824Кешбэк 123 балла
    GBPC3501W-E4/51BRIDGE RECT 1P 100V 35A GBPC-W
    1 210Кешбэк 181 балл
    MB251WBRIDGE RECT 1P 100V 25A MB-35W
    254Кешбэк 38 баллов
    VS-KBPC806BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A D-72
    1 010Кешбэк 151 балл
    MB352BRIDGE RECT 1PHASE 200V 35A MB
    261Кешбэк 39 баллов
    GBPC1501BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBPC
    1 080Кешбэк 162 балла
    MP5005-BPBRIDGE RECT 1PHASE 50V 50A MP-50
    813Кешбэк 121 балл
    MB256WBRIDGE RECT 1P 600V 25A MB-35W
    278Кешбэк 41 балл
    KBPC3510WДиод: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A KBPC-W
    193Кешбэк 28 баллов
    VS-GBPC3502WBRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-W
    1 506Кешбэк 225 баллов
    MB252BRIDGE RECT 1PHASE 200V 25A MB
    254Кешбэк 38 баллов
    DF08S-TBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DF-S
    133Кешбэк 19 баллов
    GBU602-GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBU
    356Кешбэк 53 балла
    BU1006-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 3.2A BU
    698Кешбэк 104 балла
    KBPC3508W-GBRIDGE RECT 1P 800V 35A KBPC-W
    2 168Кешбэк 325 баллов
    UC3610NBRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A 8DIP
    2 329Кешбэк 349 баллов
    GBPC1508-E4/51Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBPC
    976Кешбэк 146 баллов
    GBPC12005BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,
    923Кешбэк 138 баллов
    GBPC25005BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,
    220Кешбэк 33 балла
    GBJ1006-FBRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBJ
    408Кешбэк 61 балл
    GBU1510-GBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBU
    432Кешбэк 64 балла
    GBPC1210BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,
    1 065Кешбэк 159 баллов
    VS-36MB100ABRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A D-34
    1 334Кешбэк 200 баллов
    VS-26MT60BRIDGE RECT 3PHASE 600V 25A D-63
    2 368Кешбэк 355 баллов
    GBU608Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
    166Кешбэк 24 балла
    MD100S16M2-BPДиод: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 100A M2 P
    9 595Кешбэк 1 439 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП