Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FZ2400R12HE4B9HOSA2

FZ2400R12HE4B9HOSA2

FZ2400R12HE4B9HOSA2
;
FZ2400R12HE4B9HOSA2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FZ2400R12HE4B9HOSA2
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MODULE 1200V 3560AВсе характеристики

Минимальная цена FZ2400R12HE4B9HOSA2 при покупке от 1 шт 164732.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FZ2400R12HE4B9HOSA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FZ2400R12HE4B9HOSA2

FZ2400R12HE4B9HOSA2 — модульный транзистор Infineon Technologies, тип IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1200В
  • Рейтинговый ток: 3560А
  • Модель: FZ2400R12HE4B9HOSA2

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Эффективность работы
  • Устойчивость к перегрузкам
  • Малый размер и вес
  • Простота в использовании и монтаже

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуется дополнительное охлаждение для эффективной работы при больших нагрузках
  • Сложнее в управлении по сравнению с MOSFET

Общее назначение:

  • Используется в промышленных преобразователях частоты
  • Применяется в системах управления электродвигателями
  • Входит в состав солнечных батарей и энергосберегающих систем
  • Используется в инверторах для питания переменного тока
Выбрано: Показать

Характеристики FZ2400R12HE4B9HOSA2

Техническая документация

FZ2400R12HE4B9HOSA2.pdf
pdf. 0 kb
  • 13 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    164 732 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FZ2400R12HE4B9HOSA2
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MODULE 1200V 3560AВсе характеристики

Минимальная цена FZ2400R12HE4B9HOSA2 при покупке от 1 шт 164732.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FZ2400R12HE4B9HOSA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FZ2400R12HE4B9HOSA2

FZ2400R12HE4B9HOSA2 — модульный транзистор Infineon Technologies, тип IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1200В
  • Рейтинговый ток: 3560А
  • Модель: FZ2400R12HE4B9HOSA2

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Эффективность работы
  • Устойчивость к перегрузкам
  • Малый размер и вес
  • Простота в использовании и монтаже

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуется дополнительное охлаждение для эффективной работы при больших нагрузках
  • Сложнее в управлении по сравнению с MOSFET

Общее назначение:

  • Используется в промышленных преобразователях частоты
  • Применяется в системах управления электродвигателями
  • Входит в состав солнечных батарей и энергосберегающих систем
  • Используется в инверторах для питания переменного тока
Выбрано: Показать

Характеристики FZ2400R12HE4B9HOSA2

Техническая документация

FZ2400R12HE4B9HOSA2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории