Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - модули
FZ2400R17HE4B9HOSA2
  • В избранное
  • В сравнение
FZ2400R17HE4B9HOSA2

FZ2400R17HE4B9HOSA2

FZ2400R17HE4B9HOSA2
;
FZ2400R17HE4B9HOSA2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FZ2400R17HE4B9HOSA2
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MODULE 1700V 2400AВсе характеристики

Минимальная цена FZ2400R17HE4B9HOSA2 при покупке от 1 шт 171409.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FZ2400R17HE4B9HOSA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FZ2400R17HE4B9HOSA2

FZ2400R17HE4B9HOSA2 — модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Infineon Technologies с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки (UD(RM)): 1700 В
  • Номинальный ток (Irated): 2400 А
  • Код модели: FZ2400R17HE4B9HOSA2

Основные параметры:

  • Мощность: до 350 кВт при номинальных условиях
  • Коэффициент мощности: 0.98-0.99
  • Частота работы: до 20 кГц
  • Температурный диапазон: от -40°C до +150°C

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Высокая эффективность работы
  • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
  • Малый размер и вес за счет компактного дизайна

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Необходимость дополнительной термической защиты из-за высокой температуры работы
  • Затраты на проектирование и монтаж

Общее назначение:

  • Приводы и системы управления двигателей
  • Энергосберегающие системы
  • Системы управления электросетями
  • Автомобильные системы

Данный модуль IGBT используется в устройствах, требующих высоких мощностей и точности управления, таких как приводы двигателей, системы управления энергоснабжением и автомобильные системы.

Выбрано: Показать

Характеристики FZ2400R17HE4B9HOSA2

  • Package
    Tray
  • Конфигурация
    Single Switch
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2400 A
  • Рассеивание мощности
    15500 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 2400A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    5 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    195 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FZ2400

Техническая документация

 FZ2400R17HE4B9HOSA2.pdf
pdf. 0 kb
  • 11 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    171 409 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FZ2400R17HE4B9HOSA2
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MODULE 1700V 2400AВсе характеристики

Минимальная цена FZ2400R17HE4B9HOSA2 при покупке от 1 шт 171409.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FZ2400R17HE4B9HOSA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FZ2400R17HE4B9HOSA2

FZ2400R17HE4B9HOSA2 — модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Infineon Technologies с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки (UD(RM)): 1700 В
  • Номинальный ток (Irated): 2400 А
  • Код модели: FZ2400R17HE4B9HOSA2

Основные параметры:

  • Мощность: до 350 кВт при номинальных условиях
  • Коэффициент мощности: 0.98-0.99
  • Частота работы: до 20 кГц
  • Температурный диапазон: от -40°C до +150°C

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Высокая эффективность работы
  • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
  • Малый размер и вес за счет компактного дизайна

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Необходимость дополнительной термической защиты из-за высокой температуры работы
  • Затраты на проектирование и монтаж

Общее назначение:

  • Приводы и системы управления двигателей
  • Энергосберегающие системы
  • Системы управления электросетями
  • Автомобильные системы

Данный модуль IGBT используется в устройствах, требующих высоких мощностей и точности управления, таких как приводы двигателей, системы управления энергоснабжением и автомобильные системы.

Выбрано: Показать

Характеристики FZ2400R17HE4B9HOSA2

  • Package
    Tray
  • Конфигурация
    Single Switch
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2400 A
  • Рассеивание мощности
    15500 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 2400A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    5 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    195 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FZ2400

Техническая документация

 FZ2400R17HE4B9HOSA2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FS500R17OE4DPBOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 1000A 20MW
    145 629Кешбэк 21 844 балла
    FF1500R12IE5PBPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 1500A AGPRIME3+-5
    146 564Кешбэк 21 984 балла
    FZ2400R17HP4HOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 400A
    147 602Кешбэк 22 140 баллов
    FZ1600R17KE3NOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 2300A 8950W
    147 659Кешбэк 22 148 баллов
    FZ1800R12HP4B9HOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1200V 2700A
    147 882Кешбэк 22 182 балла
    FF1800R17IP5BPSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 300A
    151 005Кешбэк 22 650 баллов
    FZ800R12KL4CNOSA1Транзистор: IGBT MODULE
    151 064Кешбэк 22 659 баллов
    FZ1600R12HP4HOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1200V 1600A
    153 421Кешбэк 23 013 баллов
    FF1800R12IE5BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 1800A 20MW
    154 386Кешбэк 23 157 баллов
    FF1200R17IP5BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 1200A 20MW
    154 648Кешбэк 23 197 баллов
    FZ1800R17HP4B9HOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 1800A
    156 958Кешбэк 23 543 балла
    FZ1800R17HE4B9HOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 1800A
    156 958Кешбэк 23 543 балла
    FF1500R17IP5PBPSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 1500A AGPRIME3+-5
    157 591Кешбэк 23 638 баллов
    FD800R17HP4KB2BOSA2Транзистор: IGBT MOD 1700V 800A 5200W
    160 450Кешбэк 24 067 баллов
    FF800R17KP4B2NOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 800A
    162 314Кешбэк 24 347 баллов
    FZ2400R12HP4B9HOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1200V 3550A
    164 732Кешбэк 24 709 баллов
    FZ2400R12HE4B9HOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1200V 3560A
    164 732Кешбэк 24 709 баллов
    FZ800R17KF4CNOSA1Транзистор: IGBT MODULE
    165 797Кешбэк 24 869 баллов
    FZ1200R17HP4B2BOSA2Транзистор: IGBT MOD 1700V 1200A 7800W
    170 777Кешбэк 25 616 баллов
    FZ2400R17HE4B9HOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 2400A
    171 409Кешбэк 25 711 баллов
    FZ2400R17HP4B9HOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 4800A
    173 561Кешбэк 26 034 балла
    FZ1600R17HP4B2BOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 1600A
    179 620Кешбэк 26 943 балла
    FD800R17KE3B2NOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 800A
    180 203Кешбэк 27 030 баллов
    FD1200R17HP4KB2BOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 1200A
    181 070Кешбэк 27 160 баллов
    FF1200R17KE3NOSA1Транзистор: IGBT MODULE VCES 1700V 1200A
    197 983Кешбэк 29 697 баллов
    FF200R33KF2CNOSA1Транзистор: IGBT MOD 3300V 330A 2200W
    201 285Кешбэк 30 192 балла
    FS450R17KE3BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 605A 2250W
    202 771Кешбэк 30 415 баллов
    FD600R17KE3B2NOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 4300W
    202 998Кешбэк 30 449 баллов
    FF1200R17KP4B2NOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 1200A
    213 853Кешбэк 32 077 баллов
    FF1800R17IP5PBPSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 3600A
    216 512Кешбэк 32 476 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП