Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

G01N20LE

G01N20LE

G01N20LE

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Goford Semiconductor
Артикул:
G01N20LE
Описание:
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9Все характеристики

Минимальная цена G01N20LE при покупке от 1 шт 97.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить G01N20LE с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики G01N20LE

Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 1.7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
580 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
1.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
SOT-23-3
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Техническая документация

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

808 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
97 ₽
100
38 ₽
1000
25.4 ₽
6000
19.6 ₽
15000
17.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Goford Semiconductor
Артикул:
G01N20LE
Описание:
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9Все характеристики

Минимальная цена G01N20LE при покупке от 1 шт 97.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить G01N20LE с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики G01N20LE

Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 1.7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
580 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
1.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
SOT-23-3
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Техническая документация

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

PMPB14XPX MOSFET DFN2020MD-6

142Кешбэк 21 балл

SQJ414EP-T1_BE3 N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

217Кешбэк 32 балла

SIHP186N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB

749Кешбэк 112 баллов

IAUC70N08S5N074ATMA1 MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33

344Кешбэк 51 балл

C3M0032120D SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3

4 561Кешбэк 684 балла

DMT3006LPS-13 MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI5060

151Кешбэк 22 балла

IPW50R140CPFKSA1 MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3

672Кешбэк 100 баллов

SIS184DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK

284Кешбэк 42 балла

UF3C120080B7S SICFET P-CH 1200V 28.8A D2PAK-7

3 274Кешбэк 491 балл

IRL630PBF-BE3 MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

561Кешбэк 84 балла

BSZ42DN25NS3GATMA1 MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8

204Кешбэк 30 баллов

SQM40022E_GE3 MOSFET N-CH 40V 150A TO263

503Кешбэк 75 баллов

H5N2513PL-E N-CHANNEL POWER MOSFET

2 990Кешбэк 448 баллов

FDA20N50-F109 MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN

366Кешбэк 54 балла

SQJ420EP-T1_BE3 N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

253Кешбэк 37 баллов

TSM10NC65CF C0G MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S

381Кешбэк 57 баллов

R6535ENZ4C13 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER

836Кешбэк 125 баллов

SI3457CDV-T1-BE3 P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

138Кешбэк 20 баллов

FDMS3D5N08LC MOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFN

651Кешбэк 97 баллов

IPP60R950C6XKSA1 MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3

120Кешбэк 18 баллов

RSQ045N03HZGTR MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6

186Кешбэк 27 баллов

SIR122DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK

104Кешбэк 15 баллов

NTMFS5C645NLT1G MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN

332Кешбэк 49 баллов

SCT3030ALGC11 SICFET N-CH 650V 70A TO247N

3 790Кешбэк 568 баллов

AOT66916L MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO220

867Кешбэк 130 баллов

SI2302CDS-T1-BE3 Транзистор: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

104Кешбэк 15 баллов

BSZ042N06NSATMA1 Транзистор: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON

151Кешбэк 22 балла

PSMN012-60MSX MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33

200Кешбэк 30 баллов

DMP6110SSSQ-13 MOSFET PCH 60V 8SO

152Кешбэк 22 балла

SIDR680DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK

578Кешбэк 86 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Высокочастотные диоды

Высокочастотные биполярные транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Программируемые однопереходные транзисторы

Биполярные транзисторы - Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Симисторы - Модули

Диоды - выпрямители - массивы

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Диодные мосты

Тиристоры - SCR - модули

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторы - JFET

Триодные тиристоры - Модули

Принадлежности

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Драйверы питания - Модули

Диоды - выпрямители - одиночные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Диоды выпрямительные - Модули

Полевые транзисторы - Сборки

Полевые транзисторы - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Модули драйверов питания

Триодные тиристоры - Одиночные

Транзисторы - IGBT - одиночные

Транзисторы - Специального назначения

Высокочастотные полевые транзисторы

Полевые транзисторы - Модули

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Биполярные транзисторы

Варикапы и Варакторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Тиристоры - TRIACs

Транзисторы - программируемые однопереходные

Диоды силовые

Диоды выпрямительные - Одиночные

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Транзисторы - IGBT - модули

Диодные мосты - Модули

Диоды выпрямительные - Сборки

Транзисторы - Модули

Тиристоры - SCR

Биполярные транзисторы - Сборки

Диоды - ВЧ

Симисторы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диоды - мостовые выпрямители

IGBT транзисторы

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали