Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
G2R120MT33J
  • В избранное
  • В сравнение
G2R120MT33J

G2R120MT33J

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    GENESIC
  • Артикул:
    G2R120MT33J
  • Описание:
    SIC MOSFET N-CH TO263-7Все характеристики

Минимальная цена G2R120MT33J при покупке от 1 шт 25504.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить G2R120MT33J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики G2R120MT33J

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    3300 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    156mOhm @ 20A, 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    145 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    +25V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3706 pF @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    G2R120

Техническая документация

 G2R120MT33J.pdf
pdf. 0 kb
  • 41 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    25 504 ₽
  • 5
    24 541 ₽
  • 10
    23 461 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    GENESIC
  • Артикул:
    G2R120MT33J
  • Описание:
    SIC MOSFET N-CH TO263-7Все характеристики

Минимальная цена G2R120MT33J при покупке от 1 шт 25504.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить G2R120MT33J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики G2R120MT33J

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    3300 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    156mOhm @ 20A, 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    145 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    +25V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3706 pF @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    G2R120

Техническая документация

 G2R120MT33J.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIRA28BDP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
    83Кешбэк 12 баллов
    IPP80N03S4L03AKSA1MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
    573Кешбэк 85 баллов
    NVTFS027N10MCLTAGPTNG 100V LL U8FL
    190Кешбэк 28 баллов
    UPA2708TP-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    405Кешбэк 60 баллов
    RJK0351DPA-02#J0N-CHANNEL POWER MOSFET
    250Кешбэк 37 баллов
    STFU9N65M2MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
    438Кешбэк 65 баллов
    G3R20MT17KSIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
    19 824Кешбэк 2 973 балла
    RJK03K2DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
    185Кешбэк 27 баллов
    SQM50P03-07_GE3MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
    616Кешбэк 92 балла
    SI2301S-2.3AMOSFET SOT-23 P Channel 20V
    35Кешбэк 5 баллов
    SIDR668DP-T1-RE3N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
    730Кешбэк 109 баллов
    DMN10H220LQ-13MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
    70Кешбэк 10 баллов
    SD213DE TO-72 4LHIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
    1 555Кешбэк 233 балла
    SQA405CEJW-T1_GE3AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
    113Кешбэк 16 баллов
    CPH6603-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    IRF9532P-CHANNEL POWER MOSFET
    2 497Кешбэк 374 балла
    CSD17585F5TMOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR
    178Кешбэк 26 баллов
    SUM70060E-GE3MOSFET N-CH 100V 131A TO263
    520Кешбэк 78 баллов
    IPC100N04S5L1R5ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
    405Кешбэк 60 баллов
    RS1L151ATTB1PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
    714Кешбэк 107 баллов
    DMN2029UVT-7MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
    102Кешбэк 15 баллов
    NTTFS016N06CTAGMOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
    142Кешбэк 21 балл
    DMP4025LK3Q-13MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
    250Кешбэк 37 баллов
    BSZ0703LSATMA1MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
    356Кешбэк 53 балла
    SIHG15N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 13A TO247AC
    634Кешбэк 95 баллов
    IPZA60R099P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
    886Кешбэк 132 балла
    SPD50P03LGBTMA1MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
    455Кешбэк 68 баллов
    TPH1R204PL1,LQUMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
    377Кешбэк 56 баллов
    BB502MBS-TL-EТранзистор: RF N-CHANNEL MOSFET
    42.5Кешбэк 6 баллов
    NTTFS024N06CTAGMOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
    131Кешбэк 19 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Драйверы питания - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП