Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
G3R160MT12D

G3R160MT12D

G3R160MT12D
;
G3R160MT12D

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена G3R160MT12D при покупке от 1 шт 1184.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить G3R160MT12D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание G3R160MT12D

G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor Inc. SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 — это полупроводниковый транзистор с высоким напряжением и током.

  • Основные параметры:
    • Напряжение РД (VRD) — 1600 В
    • Ток РД (IDS) — 22 А
    • Пакет — TO247-3
    • Тип — SIC MOSFET N-канальный
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Малый размер и масса
    • Высокий КПД
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Требуются специальные знания при проектировании и использовании
  • Общее назначение:
    • Использование в системах с высокими требованиями к эффективности и скорости
    • В промышленной автоматизации
    • В транспортной электронике
    • В энергосберегающих устройствах
  • Применяется в:
    • Инверторах
    • Питательных преобразователях
    • Драйверах для моторов
    • Распределенных системах энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики G3R160MT12D

Техническая документация

G3R160MT12D.pdf
pdf. 0 kb
  • 845 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 184 ₽
  • 3
    1 097 ₽
  • 30
    999 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена G3R160MT12D при покупке от 1 шт 1184.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить G3R160MT12D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание G3R160MT12D

G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor Inc. SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 — это полупроводниковый транзистор с высоким напряжением и током.

  • Основные параметры:
    • Напряжение РД (VRD) — 1600 В
    • Ток РД (IDS) — 22 А
    • Пакет — TO247-3
    • Тип — SIC MOSFET N-канальный
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Малый размер и масса
    • Высокий КПД
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Требуются специальные знания при проектировании и использовании
  • Общее назначение:
    • Использование в системах с высокими требованиями к эффективности и скорости
    • В промышленной автоматизации
    • В транспортной электронике
    • В энергосберегающих устройствах
  • Применяется в:
    • Инверторах
    • Питательных преобразователях
    • Драйверах для моторов
    • Распределенных системах энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики G3R160MT12D

Техническая документация

G3R160MT12D.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории