Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
G3R20MT17K
  • В избранное
  • В сравнение
G3R20MT17K

G3R20MT17K

G3R20MT17K
;
G3R20MT17K

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    G3R20MT17K
  • Описание:
    SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4Все характеристики

Минимальная цена G3R20MT17K при покупке от 1 шт 19861.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить G3R20MT17K с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание G3R20MT17K

G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4 — это полупроводниковый транзистор с использованием технологии SiC (silicon carbide, силикаген). Основные параметры:

  • Рейтинг тока: 124 А
  • Номинальное напряжение: 200 В
  • Тип транзистора: N-канальный MOSFET
  • Пакет: TO247-4

Плюсы:

  • Высокая проводимость при малых потерь энергии, что повышает эффективность работы.
  • Высокая частота работы, позволяющая использовать транзистор в высокочастотных приложениях.
  • Устойчивость к температурным перепадам, что важно для устройств, работающих в экстремальных условиях.
  • Малый размер, что позволяет сэкономить место на печатной плате.

Минусы:

  • Высокая стоимость, особенно по сравнению с традиционными MOSFETами.
  • Требуются специальные меры по охлаждению из-за возможного высокого тепловыделения.
  • Необходимо соблюдать особые требования к установке и подключению из-за высокого напряжения.

Общее назначение:

  • Применяется в промышленных и автомобильных системах, где требуются высокие мощности и частоты.
  • Используется в преобразователях питания, солнечных батареях и электромобилях.
  • Подходит для трансформаторных блоков питания и инверторов.
Выбрано: Показать

Характеристики G3R20MT17K

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    124A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    26mOhm @ 75A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.7V @ 15mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    400 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10187 pF @ 1000 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    809W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4
  • Корпус
    TO-247-4
  • Base Product Number
    G3R20

Техническая документация

 G3R20MT17K.pdf
pdf. 0 kb
  • 50 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    19 861 ₽
  • 10
    18 421 ₽
  • 30
    17 878 ₽
  • 120
    17 087 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    G3R20MT17K
  • Описание:
    SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4Все характеристики

Минимальная цена G3R20MT17K при покупке от 1 шт 19861.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить G3R20MT17K с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание G3R20MT17K

G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4 — это полупроводниковый транзистор с использованием технологии SiC (silicon carbide, силикаген). Основные параметры:

  • Рейтинг тока: 124 А
  • Номинальное напряжение: 200 В
  • Тип транзистора: N-канальный MOSFET
  • Пакет: TO247-4

Плюсы:

  • Высокая проводимость при малых потерь энергии, что повышает эффективность работы.
  • Высокая частота работы, позволяющая использовать транзистор в высокочастотных приложениях.
  • Устойчивость к температурным перепадам, что важно для устройств, работающих в экстремальных условиях.
  • Малый размер, что позволяет сэкономить место на печатной плате.

Минусы:

  • Высокая стоимость, особенно по сравнению с традиционными MOSFETами.
  • Требуются специальные меры по охлаждению из-за возможного высокого тепловыделения.
  • Необходимо соблюдать особые требования к установке и подключению из-за высокого напряжения.

Общее назначение:

  • Применяется в промышленных и автомобильных системах, где требуются высокие мощности и частоты.
  • Используется в преобразователях питания, солнечных батареях и электромобилях.
  • Подходит для трансформаторных блоков питания и инверторов.
Выбрано: Показать

Характеристики G3R20MT17K

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    124A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    26mOhm @ 75A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.7V @ 15mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    400 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10187 pF @ 1000 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    809W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4
  • Корпус
    TO-247-4
  • Base Product Number
    G3R20

Техническая документация

 G3R20MT17K.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPA60R360P7XKSA1MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220
    382Кешбэк 57 баллов
    BSC014N04LSTATMA1MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
    383Кешбэк 57 баллов
    BSC190N15NS3GATMA1MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
    383Кешбэк 57 баллов
    BSC0702LSATMA1MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8
    385Кешбэк 57 баллов
    IPD80R600P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
    387Кешбэк 58 баллов
    IPAN60R210PFD7SXKSA1MOSFET N-CH 650V 16A TO220
    387Кешбэк 58 баллов
    IPA082N10NF2SXKSA1TRENCH >=100V PG-TO220-3
    387Кешбэк 58 баллов
    BSC109N10NS3GATMA1MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
    389Кешбэк 58 баллов
    IPD70N12S311ATMA1MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
    389Кешбэк 58 баллов
    BSC070N10NS3GATMA1MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
    389Кешбэк 58 баллов
    IPD85P04P4L06ATMA2MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
    391Кешбэк 58 баллов
    IPD90P03P404ATMA2MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
    393Кешбэк 58 баллов
    IPG20N04S4-08IPG20N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
    395Кешбэк 59 баллов
    IPD90R1K2C3ATMA2MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3
    395Кешбэк 59 баллов
    ISC0802NLSATMA1MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
    395Кешбэк 59 баллов
    SPP18P06PHXKSA1MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
    396Кешбэк 59 баллов
    ISZ080N10NM6ATMA1TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
    398Кешбэк 59 баллов
    IPB123N10N3GATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
    398Кешбэк 59 баллов
    ISC0702NLSATMA1MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
    400Кешбэк 60 баллов
    BSZ040N06LS5ATMA1MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
    402Кешбэк 60 баллов
    IPC100N04S5L1R5ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
    406Кешбэк 60 баллов
    IPD90N03S4L03ATMA1MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
    406Кешбэк 60 баллов
    BSZ16DN25NS3GATMA1MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
    408Кешбэк 61 балл
    BSZ096N10LS5ATMA1MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
    411Кешбэк 61 балл
    BSC016N06NSATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
    411Кешбэк 61 балл
    ISC0602NLSATMA1MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
    411Кешбэк 61 балл
    IPP60R190P6XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
    411Кешбэк 61 балл
    IPD380P06NMATMA1MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
    413Кешбэк 61 балл
    IPP50R190CEXKSA1MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
    415Кешбэк 62 балла
    ISC012N04NM6ATMA1TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
    419Кешбэк 62 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП