Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
G3R450MT17J
  • В избранное
  • В сравнение
G3R450MT17J

G3R450MT17J

G3R450MT17J
;
G3R450MT17J

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor Inc.
  • Артикул:
    G3R450MT17J
  • Описание:
    SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7Все характеристики

Минимальная цена G3R450MT17J при покупке от 1 шт 1289.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить G3R450MT17J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание G3R450MT17J

G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor Inc. SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7 — это полупроводниковый транзистор с высокими характеристиками для применения в современных электронных устройствах. Вот основные параметры и характеристики:

  • Тип устройства: N-канальный MOSFET (MOSFET N-CH)
  • Размер тока: 9А
  • Оболочка: TO263-7
  • Материал: SiC (сумеречная кремниевая кислота)

Основные плюсы:

  • Высокая надежность: благодаря использованию SiC, транзистор обладает повышенной стойкостью к тепловым нагрузкам.
  • Эффективность: низкий коэффициент вводимости позволяет снизить энергопотери при работе.
  • Устойчивость к шумам: высокая иммунитет к электромагнитному шуму.

Основные минусы:

  • Высокая стоимость: из-за использования редкоземельных материалов.
  • Требует специального охлаждения: хотя SiC и устойчив к высоким температурам, все же требуют дополнительного охлаждения.

Общее назначение:

  • Используется в высоковольтных и высокочастотных приложениях.
  • Подходит для промышленных систем управления и трансформаторных преобразователей.
  • Пригоден для автомобильных систем, где требуется высокая эффективность и надежность.

Транзистор G3R450MT17J широко применяется в различных устройствах, где требуется высокая производительность и надежность, таких как инверторы, преобразователи напряжения, системы управления двигателем и другие приборы, требующие высокой эффективности и устойчивости к высоким температурам.

Выбрано: Показать

Характеристики G3R450MT17J

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    585mOhm @ 4A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.7V @ 2mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    454 pF @ 1000 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    91W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    G3R450

Техническая документация

 G3R450MT17J.pdf
pdf. 0 kb
  • 841 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 289 ₽
  • 5
    1 201 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor Inc.
  • Артикул:
    G3R450MT17J
  • Описание:
    SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7Все характеристики

Минимальная цена G3R450MT17J при покупке от 1 шт 1289.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить G3R450MT17J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание G3R450MT17J

G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor Inc. SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7 — это полупроводниковый транзистор с высокими характеристиками для применения в современных электронных устройствах. Вот основные параметры и характеристики:

  • Тип устройства: N-канальный MOSFET (MOSFET N-CH)
  • Размер тока: 9А
  • Оболочка: TO263-7
  • Материал: SiC (сумеречная кремниевая кислота)

Основные плюсы:

  • Высокая надежность: благодаря использованию SiC, транзистор обладает повышенной стойкостью к тепловым нагрузкам.
  • Эффективность: низкий коэффициент вводимости позволяет снизить энергопотери при работе.
  • Устойчивость к шумам: высокая иммунитет к электромагнитному шуму.

Основные минусы:

  • Высокая стоимость: из-за использования редкоземельных материалов.
  • Требует специального охлаждения: хотя SiC и устойчив к высоким температурам, все же требуют дополнительного охлаждения.

Общее назначение:

  • Используется в высоковольтных и высокочастотных приложениях.
  • Подходит для промышленных систем управления и трансформаторных преобразователей.
  • Пригоден для автомобильных систем, где требуется высокая эффективность и надежность.

Транзистор G3R450MT17J широко применяется в различных устройствах, где требуется высокая производительность и надежность, таких как инверторы, преобразователи напряжения, системы управления двигателем и другие приборы, требующие высокой эффективности и устойчивости к высоким температурам.

Выбрано: Показать

Характеристики G3R450MT17J

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    585mOhm @ 4A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.7V @ 2mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    454 pF @ 1000 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    91W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    G3R450

Техническая документация

 G3R450MT17J.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTMYS014N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
    309Кешбэк 46 баллов
    NVMYS3D5N04CTWGMOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
    350Кешбэк 52 балла
    STDV3055L104T4GMOSFET N-CH 60V 12A DPAK
    193Кешбэк 28 баллов
    NTMT095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 584Кешбэк 237 баллов
    NVMFS5C468NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN
    313Кешбэк 46 баллов
    NTLJS17D0P03P8ZTAGMOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
    172Кешбэк 25 баллов
    NVB190N65S3FMOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
    845Кешбэк 126 баллов
    NVMYS4D6N04CLTWGMOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4
    302Кешбэк 45 баллов
    NVMFSC0D9N04CMOSFET N-CH 40V 48.9A/313A 8DFN
    1 032Кешбэк 154 балла
    NTMFS5113PLT1GNFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
    561Кешбэк 84 балла
    NTMFS5H630NLT1GMOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN
    352Кешбэк 52 балла
    UF3C120150B7S1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
    2 127Кешбэк 319 баллов
    NVTFS014P04M8LTAGMOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
    226Кешбэк 33 балла
    CPH3331-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    43Кешбэк 6 баллов
    NVMYS014N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
    272Кешбэк 40 баллов
    NVMFS5C682NLWFAFT1GMOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
    333Кешбэк 49 баллов
    NTD78N03R-001N-CHANNEL POWER MOSFET
    57Кешбэк 8 баллов
    CPH6604-TL-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
    39Кешбэк 5 баллов
    NTMFS5C404NT1GMOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
    1 382Кешбэк 207 баллов
    NVMFS5C682NLAFT1GMOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
    226Кешбэк 33 балла
    NVTYS9D6P04M8LTWGMV8 40V LL SINGLE PCH L
    430Кешбэк 64 балла
    NTMFS022N15MCPOWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
    474Кешбэк 71 балл
    NVMFS5C670NLAFT1GMOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN
    459Кешбэк 68 баллов
    NTMT090N65S3HFPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 201Кешбэк 180 баллов
    NTD15N06L-1GN-CHANNEL POWER MOSFET
    35Кешбэк 5 баллов
    NVMJS1D4N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
    708Кешбэк 106 баллов
    NVMFS6H848NLT1GMOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
    302Кешбэк 45 баллов
    NVMFS5C645NLAFT1GMOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
    304Кешбэк 45 баллов
    NTD78N03R-035N-CHANNEL POWER MOSFET
    57Кешбэк 8 баллов
    NVMTS6D0N15MCPTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR A
    1 110Кешбэк 166 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП