Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
G3R75MT12D
G3R75MT12D

G3R75MT12D

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor Inc.
  • Артикул:
    G3R75MT12D
  • Описание:
    SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена G3R75MT12D при покупке от 1 шт 1891.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить G3R75MT12D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики G3R75MT12D

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    41A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90mOhm @ 20A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.69V @ 7.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    54 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1560 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    207W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    G3R75

Техническая документация

 G3R75MT12D.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 49 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 891 ₽
  • 10
    1 705 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor Inc.
  • Артикул:
    G3R75MT12D
  • Описание:
    SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена G3R75MT12D при покупке от 1 шт 1891.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить G3R75MT12D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики G3R75MT12D

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    41A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90mOhm @ 20A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.69V @ 7.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    54 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1560 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    207W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    G3R75

Техническая документация

 G3R75MT12D.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPDD60R075CFD7XTMA1MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10
    1 126Кешбэк 168 баллов
    RJJ0621DPP-0P#T2P-CHANNEL POWER MOSFET
    301Кешбэк 45 баллов
    SSM3K72KFS,LXHFAUTO AEC-Q LOW RDSON SS MOS N-CH
    55Кешбэк 8 баллов
    FCH110N65F-F155MOSFET N-CH 650V 35A TO247
    799Кешбэк 119 баллов
    APT106N60LC6MOSFET N-CH 600V 106A TO264
    3 849Кешбэк 577 баллов
    AOL1454GMOSFET N-CH 40V 25A/46A ULTRASO8
    152Кешбэк 22 балла
    SIR186LDP-T1-RE3N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
    243Кешбэк 36 баллов
    IPW60R120P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
    513Кешбэк 76 баллов
    SIR4606DP-T1-GE3N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
    277Кешбэк 41 балл
    IPLK60R1K0PFD7ATMA1MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
    288Кешбэк 43 балла
    SQJ476EP-T1_BE3N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
    220Кешбэк 33 балла
    PJA3470_R1_00001SOT-23, MOSFET
    105Кешбэк 15 баллов
    SIR122LDP-T1-RE3N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
    296Кешбэк 44 балла
    IPP110N20N3GXKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
    913Кешбэк 136 баллов
    IRF150P220AKMA1MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
    1 690Кешбэк 253 балла
    MCG16P03-TPMOSFET P-CH 30V 16A DFN3030
    285Кешбэк 42 балла
    NTTFS010N10MCLTAGMOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
    178Кешбэк 26 баллов
    IPB120P04P404ATMA2MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
    599Кешбэк 89 баллов
    IPP65R190CFD7XKSA1HIGH POWER_NEW
    538Кешбэк 80 баллов
    RD3P050SNTL1MOSFET N-CH 100V 5A TO252
    261Кешбэк 39 баллов
    CPH3413-TL-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
    70Кешбэк 10 баллов
    RYC002N05T316MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
    73Кешбэк 10 баллов
    2SK2161Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    248Кешбэк 37 баллов
    HUF76009P3N-CHANNEL POWER MOSFET
    154Кешбэк 23 балла
    SQJA42EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
    375Кешбэк 56 баллов
    RJL6013DPP-00#T2N-CHANNEL POWER MOSFET
    533Кешбэк 79 баллов
    IPD80R3K3P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
    130Кешбэк 19 баллов
    IPD25N06S4L30ATMA2MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
    75Кешбэк 11 баллов
    SI2347DS-T1-BE3P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    81Кешбэк 12 баллов
    FCH150N65F-F155POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
    1 418Кешбэк 212 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП