Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - мостовые выпрямители
GBI35K
  • В избранное
  • В сравнение
GBI35K

GBI35K

GBI35K
;
GBI35K

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBI35K
  • Описание:
    1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 35AВсе характеристики

Минимальная цена GBI35K при покупке от 1 шт 241.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBI35K с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBI35K

GBI35K DIOTEC SEMICONDUCTOR 1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 35A — это интегральный мост из диодов для однофазной системы питания. Основные параметры:

  • Мощность: 35 кВт
  • Номинальное напряжение: 800 В
  • Номинальный ток: 35 А
  • Размеры: 30x20x3.6 мм
  • Количество элементов: 4 диода

Плюсы:

  • Комpakтные размеры и высокая плотность компонентов
  • Высокая надежность и долговечность
  • Минимальная тепловая нагрузка благодаря эффективному охлаждению
  • Упрощенная конструкция и простота монтажа

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с отдельными диодами
  • Необходимость правильного выбора термического дизайна при использовании
  • Ограниченная гибкость в выборе конфигурации

Общее назначение:

Интегральный мост из диодов используется для защиты электронных устройств от обратного тока и обеспечения однородного распределения тока. Он применяется в:

  • Промышленных преобразователях питания
  • Автомобильных системах зарядки аккумуляторов
  • Системах управления электродвигателями
  • Энергосберегающих устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики GBI35K

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 17.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBI
  • Исполнение корпуса
    GBI

Техническая документация

 GBI35K.pdf
pdf. 0 kb
  • 366 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    241 ₽
  • 5
    217 ₽
  • 25
    193 ₽
  • 100
    169 ₽
  • 500
    150 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBI35K
  • Описание:
    1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 35AВсе характеристики

Минимальная цена GBI35K при покупке от 1 шт 241.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBI35K с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBI35K

GBI35K DIOTEC SEMICONDUCTOR 1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 35A — это интегральный мост из диодов для однофазной системы питания. Основные параметры:

  • Мощность: 35 кВт
  • Номинальное напряжение: 800 В
  • Номинальный ток: 35 А
  • Размеры: 30x20x3.6 мм
  • Количество элементов: 4 диода

Плюсы:

  • Комpakтные размеры и высокая плотность компонентов
  • Высокая надежность и долговечность
  • Минимальная тепловая нагрузка благодаря эффективному охлаждению
  • Упрощенная конструкция и простота монтажа

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с отдельными диодами
  • Необходимость правильного выбора термического дизайна при использовании
  • Ограниченная гибкость в выборе конфигурации

Общее назначение:

Интегральный мост из диодов используется для защиты электронных устройств от обратного тока и обеспечения однородного распределения тока. Он применяется в:

  • Промышленных преобразователях питания
  • Автомобильных системах зарядки аккумуляторов
  • Системах управления электродвигателями
  • Энергосберегающих устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики GBI35K

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 17.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBI
  • Исполнение корпуса
    GBI

Техническая документация

 GBI35K.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DB35-023PH BRIDGE DB 200V 35A
    708Кешбэк 106 баллов
    DB15-10Диод: 3PH BRIDGE DB 1000V 25A
    976Кешбэк 146 баллов
    KBU807GBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU
    359Кешбэк 53 балла
    GBU1005BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
    276Кешбэк 41 балл
    DDB2U40N12W1RFB11BPSA1LOW POWER EASY AG-EASY1B-2311
    14 979Кешбэк 2 246 баллов
    KBPC2506I1PH BRIDGE KBPC 600V 25A
    554Кешбэк 83 балла
    DB15-123PH BRIDGE DB 1200V 25A
    828Кешбэк 124 балла
    GBJ2510-05-GBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
    574Кешбэк 86 баллов
    DLA100B1200LB-TUBBRIDGE RECT 1P 1.2KV 132A SMPD.B
    5 087Кешбэк 763 балла
    RS101Резистор: BRIDGE RECT GLASS 50V 1A RS-1
    7 476Кешбэк 1 121 балл
    VS-300MT160CBRIDGE RECT 3P 1.6KV 258A MTC
    12 683Кешбэк 1 902 балла
    GBJ1008BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBJ
    124Кешбэк 18 баллов
    DB15-163PH BRIDGE DB 1600V 25A
    795Кешбэк 119 баллов
    BR2502STD 25A, CASE TYPE: BR50
    243Кешбэк 36 баллов
    NTE53000BRIDGE-200VRM 10A
    393Кешбэк 58 баллов
    NTE170R-SI BRIDGE 1000V 2A
    1 926Кешбэк 288 баллов
    MP151WBRIDGE REC GLASS 100V 15A MP-15W
    667Кешбэк 100 баллов
    NTE5317R-SI BRIDGE 1000V 8A
    2 223Кешбэк 333 балла
    GBI15B1PH BRIDGE 30X20X3.6 100V 15A
    165Кешбэк 24 балла
    DB15-063PH BRIDGE DB 600V 25A
    713Кешбэк 106 баллов
    DLA100IM1200TZ-TUBRECTIFIER 1200V 100A TO-268AA
    1 703Кешбэк 255 баллов
    MDMA900U1600PTEHBIPOLARMODULE-BRIDGE RECTIFIER E
    39 695Кешбэк 5 954 балла
    NTE5302R-BRIDGE 800V 8 AMP SIP
    471Кешбэк 70 баллов
    MP352BRIDGE RECT GLASS 200V 35A MP-35
    793Кешбэк 118 баллов
    VS-2KBB100RBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.9A 2KBB
    432Кешбэк 64 балла
    VS-131MT160CMTC - THREE PHASE BRIDGE
    11 301Кешбэк 1 695 баллов
    DB25-14Соединитель: Диод: 3PH BRIDGE DB 1400V 25A
    2 053Кешбэк 307 баллов
    VS-161MT180CMTC - THREE PHASE BRIDGE
    12 085Кешбэк 1 812 баллов
    MSC50DC70HJPM-DIODE-SIC-SBD-SOT227
    8 515Кешбэк 1 277 баллов
    DB35-013PH BRIDGE DB 100V 35A
    1 067Кешбэк 160 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП