Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBJ1006-F
GBJ1006-F

GBJ1006-F

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ1006-F
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ1006-F при покупке от 1 шт 468.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ1006-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GBJ1006-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ1006
Техническая документация
 GBJ1006-F.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 26 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    468 ₽
  • 15
    269 ₽
  • 105
    205 ₽
  • 510
    165 ₽
  • 1005
    158 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ1006-F
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ1006-F при покупке от 1 шт 468.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ1006-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GBJ1006-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ1006
Техническая документация
 GBJ1006-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    KBJ610GBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBJ
    353Кешбэк 52 балла
    KBP01GBRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A KBP
    145Кешбэк 21 балл
    EDF1AS-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFS
    339Кешбэк 50 баллов
    GBPC15005BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,
    1 128Кешбэк 169 баллов
    KBU2504-GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 3.6A KBU
    636Кешбэк 95 баллов
    PB66-BPДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A PB-6
    309Кешбэк 46 баллов
    VS-2KBB20RBRIDGE RECT 1P 200V 1.9A 2KBB
    464Кешбэк 69 баллов
    KBU6MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBU
    332Кешбэк 49 баллов
    KBU8GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A KBU
    343Кешбэк 51 балл
    GBU6J-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.8A GBU
    551Кешбэк 82 балла
    GSIB680-E3/45BRIDGE RECT 1P 800V 2.8A GSIB-5S
    600Кешбэк 90 баллов
    MB251BRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A MB
    207Кешбэк 31 балл
    DF1508S-TBRIDGE RECT 1P 800V 1.5A DF-S
    174Кешбэк 26 баллов
    KBPC1510WBRIDGE RECT 1P 1KV 15A KBPC-W
    266Кешбэк 39 баллов
    GBPC3502BRIDGE RECT 1PHASE 200V 35A GBPC
    1 365Кешбэк 204 балла
    GBPC1201/1BRIDGE RECT 1PHASE 100V 12A GBPC
    571Кешбэк 85 баллов
    SDB107-TPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A SDB-1
    115Кешбэк 17 баллов
    DF1502S-TBRIDGE RECT 1P 200V 1.5A DF-S
    149Кешбэк 22 балла
    GBJ2501-FBRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBJ
    492Кешбэк 73 балла
    GBPC604-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A GBPC6
    700Кешбэк 105 баллов
    GBJ1510-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBJ
    521Кешбэк 78 баллов
    GBPC5004-BPBRIDGE RECT 1PHASE 400V 50A GBPC
    1 016Кешбэк 152 балла
    GSIB2580-E3/45Диод: BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A GSIB-5S
    732Кешбэк 109 баллов
    GBU8D-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU
    524Кешбэк 78 баллов
    DBA40GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.6A
    356Кешбэк 53 балла
    VS-26MT40BRIDGE RECT 3PHASE 400V 25A D-63
    3 255Кешбэк 488 баллов
    KBPC2502WДиод: BRIDGE RECT 1P 200V 25A KBPC-W
    266Кешбэк 39 баллов
    GBPC2508W-GBRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W
    923Кешбэк 138 баллов
    GSIB1540-E3/45BRIDGE RECT 1P 400V 3.5A GSIB-5S
    621Кешбэк 93 балла
    KBL005BRIDGE RECTIFIER DIODE
    75Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Модули драйверов питания
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП