Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBJ802-F
  • В избранное
  • В сравнение
GBJ802-F

GBJ802-F

GBJ802-F
;
GBJ802-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ802-F
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ802-F при покупке от 1 шт 391.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ802-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ802-F

GBJ802-F Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A GBJ — это мостовая диодная решетка для однофазной схемы питания. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 200В
  • Номинальный ток: 8А
  • Количество диодов: 4 (формирует мост)

Плюсы:

  • Высокая эффективность преобразования
  • Устойчивость к обратному напряжению
  • Малый размер и легкость
  • Долгий срок службы

Минусы:

  • Необходимо дополнительное охлаждение при больших нагрузках
  • Существует потери на диодах
  • Невозможность использования в высокочастотных системах без дополнительного компонентарного сопровождения

Общее назначение:

  • Преобразование альтернирующего тока в постоянный
  • Использование в электропитании различных устройств
  • Предназначено для работы с однофазным напряжением

Применяется в:

  • Телевизорах и других домашних аудио-видео устройствах
  • Электронных устройствах для управления светом (LED)
  • Стабилизаторах напряжения
  • Автомобильных зарядных устройствах
  • Инверторах
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ802-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 4 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 200 V
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ802

Техническая документация

 GBJ802-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 20 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    391 ₽
  • 15
    225 ₽
  • 105
    169 ₽
  • 510
    135 ₽
  • 1005
    125 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ802-F
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ802-F при покупке от 1 шт 391.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ802-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ802-F

GBJ802-F Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A GBJ — это мостовая диодная решетка для однофазной схемы питания. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 200В
  • Номинальный ток: 8А
  • Количество диодов: 4 (формирует мост)

Плюсы:

  • Высокая эффективность преобразования
  • Устойчивость к обратному напряжению
  • Малый размер и легкость
  • Долгий срок службы

Минусы:

  • Необходимо дополнительное охлаждение при больших нагрузках
  • Существует потери на диодах
  • Невозможность использования в высокочастотных системах без дополнительного компонентарного сопровождения

Общее назначение:

  • Преобразование альтернирующего тока в постоянный
  • Использование в электропитании различных устройств
  • Предназначено для работы с однофазным напряжением

Применяется в:

  • Телевизорах и других домашних аудио-видео устройствах
  • Электронных устройствах для управления светом (LED)
  • Стабилизаторах напряжения
  • Автомобильных зарядных устройствах
  • Инверторах
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ802-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 4 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 200 V
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ802

Техническая документация

 GBJ802-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DF005S-TBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DF-S
    115Кешбэк 17 баллов
    DF06S-TBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DF-S
    115Кешбэк 17 баллов
    DF02S-TBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DF-S
    117Кешбэк 17 баллов
    DF04S-TBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DF-S
    118Кешбэк 17 баллов
    DF1502S-TBRIDGE RECT 1P 200V 1.5A DF-S
    120Кешбэк 18 баллов
    DF1510S-TДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DF-S
    127Кешбэк 19 баллов
    SDA006-7BRIDGE RECT 3P 75V 215MA SOT363
    130Кешбэк 19 баллов
    DF10MBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFM
    132Кешбэк 19 баллов
    DF1504S-TBRIDGE RECT 1P 400V 1.5A DF-S
    133Кешбэк 19 баллов
    DF08MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800KV 1A DFM
    133Кешбэк 19 баллов
    DF08S-TBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DF-S
    133Кешбэк 19 баллов
    KBP201GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
    134Кешбэк 20 баллов
    DF15005S-TBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DF-S
    137Кешбэк 20 баллов
    KBP01GBRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A KBP
    138Кешбэк 20 баллов
    KBP02GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A KBP
    138Кешбэк 20 баллов
    KBP005GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A KBP
    138Кешбэк 20 баллов
    DF1501S-TBRIDGE RECT 1P 100V 1.5A DF-S
    141Кешбэк 21 балл
    DF10S-TBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DF-S
    142Кешбэк 21 балл
    KBP04GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A KBP
    143Кешбэк 21 балл
    KBP06GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A KBP
    152Кешбэк 22 балла
    KBP08GBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A KBP
    156Кешбэк 23 балла
    DF1506S-TBRIDGE RECT 1P 600V 1.5A DF-S
    161Кешбэк 24 балла
    SBR05M60BLP-7BRIDGE RECT 1P 60V 500MA DFN3030
    161Кешбэк 24 балла
    DF1508S-TBRIDGE RECT 1P 800V 1.5A DF-S
    170Кешбэк 25 баллов
    KBP10GBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A KBP
    185Кешбэк 27 баллов
    RH06-TBRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4-DIP
    200Кешбэк 30 баллов
    RH04-TBRIDGE RECT 1P 400V 500MA 4-DIP
    217Кешбэк 32 балла
    DF02SBRIDGE RECT 1PHASE 200KV 1A DFS
    233Кешбэк 34 балла
    DF15005SBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DF-S
    241Кешбэк 36 баллов
    KBJ408GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBJ
    246Кешбэк 36 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП