Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBPC3504T
  • В избранное
  • В сравнение
GBPC3504T

GBPC3504T

GBPC3504T
;
GBPC3504T

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    GBPC3504T
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-TВсе характеристики

Минимальная цена GBPC3504T при покупке от 1 шт 856.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBPC3504T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBPC3504T

GBPC3504T GeneSiC Semiconductor BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-T — это полупроводниковый элемент, который используется для преобразования переменного напряжения в постоянное. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 400В
  • Максимальный ток: 35А
  • Количество статоров: 1
  • Тип: BRIDGE RECT

Плюсы:

  • Высокая эффективность работы
  • Стабильная работа при больших нагрузках
  • Малое сопротивление
  • Короткий время реакции

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
  • Требует более сложной системы охлаждения

Общее назначение: Используется для преобразования переменного напряжения в постоянное в различных электронных устройствах и системах.

Применяется в:

  • Автомобильных системах питания
  • Инверторах
  • Энергосберегающих устройствах
  • Системах управления двигателем
  • Промышленных преобразовательных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики GBPC3504T

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    35 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 12.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 400 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    QC Terminal
  • Корпус
    4-Square, GBPC-T
  • Исполнение корпуса
    GBPC-T
  • Base Product Number
    GBPC3504

Техническая документация

 GBPC3504T.pdf
pdf. 0 kb
  • 58 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    856 ₽
  • 10
    687 ₽
  • 25
    629 ₽
  • 100
    551 ₽
  • 250
    505 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    GBPC3504T
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-TВсе характеристики

Минимальная цена GBPC3504T при покупке от 1 шт 856.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBPC3504T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBPC3504T

GBPC3504T GeneSiC Semiconductor BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-T — это полупроводниковый элемент, который используется для преобразования переменного напряжения в постоянное. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 400В
  • Максимальный ток: 35А
  • Количество статоров: 1
  • Тип: BRIDGE RECT

Плюсы:

  • Высокая эффективность работы
  • Стабильная работа при больших нагрузках
  • Малое сопротивление
  • Короткий время реакции

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
  • Требует более сложной системы охлаждения

Общее назначение: Используется для преобразования переменного напряжения в постоянное в различных электронных устройствах и системах.

Применяется в:

  • Автомобильных системах питания
  • Инверторах
  • Энергосберегающих устройствах
  • Системах управления двигателем
  • Промышленных преобразовательных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики GBPC3504T

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    35 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 12.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 400 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    QC Terminal
  • Корпус
    4-Square, GBPC-T
  • Исполнение корпуса
    GBPC-T
  • Base Product Number
    GBPC3504

Техническая документация

 GBPC3504T.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DF005S-TBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DF-S
    115Кешбэк 17 баллов
    DF06S-TBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DF-S
    115Кешбэк 17 баллов
    DF02S-TBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DF-S
    117Кешбэк 17 баллов
    DF04S-TBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DF-S
    118Кешбэк 17 баллов
    DF1502S-TBRIDGE RECT 1P 200V 1.5A DF-S
    120Кешбэк 18 баллов
    DF1510S-TДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DF-S
    127Кешбэк 19 баллов
    SDA006-7BRIDGE RECT 3P 75V 215MA SOT363
    130Кешбэк 19 баллов
    DF10MBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFM
    132Кешбэк 19 баллов
    DF1504S-TBRIDGE RECT 1P 400V 1.5A DF-S
    133Кешбэк 19 баллов
    DF08MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800KV 1A DFM
    133Кешбэк 19 баллов
    DF08S-TBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DF-S
    133Кешбэк 19 баллов
    KBP201GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
    134Кешбэк 20 баллов
    DF15005S-TBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DF-S
    137Кешбэк 20 баллов
    KBP01GBRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A KBP
    138Кешбэк 20 баллов
    KBP02GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A KBP
    138Кешбэк 20 баллов
    KBP005GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A KBP
    138Кешбэк 20 баллов
    DF1501S-TBRIDGE RECT 1P 100V 1.5A DF-S
    141Кешбэк 21 балл
    DF10S-TBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DF-S
    142Кешбэк 21 балл
    KBP04GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A KBP
    143Кешбэк 21 балл
    KBP06GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A KBP
    152Кешбэк 22 балла
    KBP08GBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A KBP
    156Кешбэк 23 балла
    DF1506S-TBRIDGE RECT 1P 600V 1.5A DF-S
    161Кешбэк 24 балла
    SBR05M60BLP-7BRIDGE RECT 1P 60V 500MA DFN3030
    161Кешбэк 24 балла
    DF1508S-TBRIDGE RECT 1P 800V 1.5A DF-S
    170Кешбэк 25 баллов
    KBP10GBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A KBP
    185Кешбэк 27 баллов
    RH06-TBRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4-DIP
    200Кешбэк 30 баллов
    RH04-TBRIDGE RECT 1P 400V 500MA 4-DIP
    217Кешбэк 32 балла
    DF02SBRIDGE RECT 1PHASE 200KV 1A DFS
    233Кешбэк 34 балла
    DF15005SBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DF-S
    241Кешбэк 36 баллов
    KBJ408GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBJ
    246Кешбэк 36 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП