Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBPC3508W-E4/51
  • В избранное
  • В сравнение
GBPC3508W-E4/51

GBPC3508W-E4/51

GBPC3508W-E4/51
;
GBPC3508W-E4/51

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    GBPC3508W-E4/51
  • Описание:
    Диод: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-WВсе характеристики

Минимальная цена GBPC3508W-E4/51 при покупке от 1 шт 891.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBPC3508W-E4/51 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBPC3508W-E4/51

GBPC3508W-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Диод: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 800В
  • Максимальный ток: 35А
  • Количество полупроводников: 1
  • Тип: мостовой диод

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Высокая рабочая температура до +150°C
  • Экономичное использование пространства благодаря компактному дизайну
  • Устойчивость к вибрациям и шокам

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с менее мощными диодами
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для снижения напряжения

Общее назначение:

  • Преобразование переменного тока в постоянный
  • Защита электронных устройств от обратного напряжения
  • Регулировка тока в электрических цепях

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания
  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Системы управления приводами
  • Энергосберегающие приборы
  • Стационарные источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики GBPC3508W-E4/51

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    35 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 17.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-Square, GBPC-W
  • Исполнение корпуса
    GBPC-W
  • Base Product Number
    GBPC3508

Техническая документация

 GBPC3508W-E4/51.pdf
pdf. 0 kb
  • 139 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    891 ₽
  • 10
    562 ₽
  • 100
    536 ₽
  • 500
    494 ₽
  • 1000
    485 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    GBPC3508W-E4/51
  • Описание:
    Диод: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-WВсе характеристики

Минимальная цена GBPC3508W-E4/51 при покупке от 1 шт 891.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBPC3508W-E4/51 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBPC3508W-E4/51

GBPC3508W-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Диод: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 800В
  • Максимальный ток: 35А
  • Количество полупроводников: 1
  • Тип: мостовой диод

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Высокая рабочая температура до +150°C
  • Экономичное использование пространства благодаря компактному дизайну
  • Устойчивость к вибрациям и шокам

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с менее мощными диодами
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для снижения напряжения

Общее назначение:

  • Преобразование переменного тока в постоянный
  • Защита электронных устройств от обратного напряжения
  • Регулировка тока в электрических цепях

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания
  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Системы управления приводами
  • Энергосберегающие приборы
  • Стационарные источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики GBPC3508W-E4/51

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    35 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 17.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-Square, GBPC-W
  • Исполнение корпуса
    GBPC-W
  • Base Product Number
    GBPC3508

Техническая документация

 GBPC3508W-E4/51.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PB64-BPBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A PB-6
    304Кешбэк 45 баллов
    GBJ1001-BPBRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBJ
    328Кешбэк 49 баллов
    GBJ10005-BPBRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBJ
    328Кешбэк 49 баллов
    GBJ1004-BPBRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A GBJ
    328Кешбэк 49 баллов
    GBJ15005-BPBRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
    339Кешбэк 50 баллов
    GBJ1502-BPBRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBJ
    339Кешбэк 50 баллов
    GBJ1504-BPДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBJ
    339Кешбэк 50 баллов
    GBU10A-BPBRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU
    345Кешбэк 51 балл
    GBU15G-BPBRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBU
    345Кешбэк 51 балл
    GBJ1008-BPBRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBJ
    345Кешбэк 51 балл
    GBU15K-BPBRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBU
    345Кешбэк 51 балл
    GBJ3506-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBJ
    434Кешбэк 65 баллов
    GBJ2504-BPBRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A GBJ
    469Кешбэк 70 баллов
    GBJ2010-BPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
    469Кешбэк 70 баллов
    GBJ25005-BPBRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A GBJ
    469Кешбэк 70 баллов
    GBJ2510-BPДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
    469Кешбэк 70 баллов
    GBJ2006-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A GBJ
    469Кешбэк 70 баллов
    GBJ2508-BPBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
    469Кешбэк 70 баллов
    GBJ2502-BPBRIDGE RECT 1PHASE 200V 25A GBJ
    469Кешбэк 70 баллов
    GBJ3504-BPBRIDGE RECT 1PHASE 400V 35A GBJ
    509Кешбэк 76 баллов
    GBJ3501-BPBRIDGE RECT 1PHASE 100V 35A GBJ
    509Кешбэк 76 баллов
    GBJ35005-BPBRIDGE RECT 1PHASE 50V 35A GBJ
    509Кешбэк 76 баллов
    GBJ3502-BPBRIDGE RECT 1PHASE 200V 35A GBJ
    509Кешбэк 76 баллов
    GBJ5006-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 50A GBJ
    526Кешбэк 78 баллов
    GBPC2501-BPBRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBPC
    698Кешбэк 104 балла
    GBPC3510-BPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPC
    698Кешбэк 104 балла
    GBPC2506-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBPC
    698Кешбэк 104 балла
    GBPC2510-BPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC
    698Кешбэк 104 балла
    GBPC3501-BPBRIDGE RECT 1PHASE 100V 35A GBPC
    698Кешбэк 104 балла
    MP506-BPBRIDGE RECT 1P 600V 50A MP-50
    819Кешбэк 122 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП