Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBPC3508W-G
  • В избранное
  • В сравнение
GBPC3508W-G

GBPC3508W-G

GBPC3508W-G
;
GBPC3508W-G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Comchip Technology
  • Артикул:
    GBPC3508W-G
  • Описание:
    Диод: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-WВсе характеристики

Минимальная цена GBPC3508W-G при покупке от 1 шт 900.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBPC3508W-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBPC3508W-G

GBPC3508W-G Comchip Technology Диод: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Максимальный ток прямого тока: 35А
    • Конструкция: мостовой диод
    • Количество элементов в мосту: 1
    • Производитель: Comchip Technology
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Высокий КПД
    • Малый размер и легкость
    • Прочность конструкции
  • Минусы:
    • Высокие требования к термической обработке
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от скачков напряжения
  • Общее назначение:
    • Перевод альтернирующего тока в постоянный
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Регулировка напряжения в различных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных аккумуляторах
    • Солнечных батареях
    • Электроэнергетических системах
    • Измерительной технике
    • Питании цифровых устройств
Выбрано: Показать

Характеристики GBPC3508W-G

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    35 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 17.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-Square, GBPC-W
  • Исполнение корпуса
    GBPC-W
  • Base Product Number
    GBPC3508

Техническая документация

 GBPC3508W-G.pdf
pdf. 0 kb
  • 1951 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    900 ₽
  • 10
    601 ₽
  • 100
    432 ₽
  • 500
    406 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Comchip Technology
  • Артикул:
    GBPC3508W-G
  • Описание:
    Диод: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-WВсе характеристики

Минимальная цена GBPC3508W-G при покупке от 1 шт 900.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBPC3508W-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBPC3508W-G

GBPC3508W-G Comchip Technology Диод: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Максимальный ток прямого тока: 35А
    • Конструкция: мостовой диод
    • Количество элементов в мосту: 1
    • Производитель: Comchip Technology
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Высокий КПД
    • Малый размер и легкость
    • Прочность конструкции
  • Минусы:
    • Высокие требования к термической обработке
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от скачков напряжения
  • Общее назначение:
    • Перевод альтернирующего тока в постоянный
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Регулировка напряжения в различных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных аккумуляторах
    • Солнечных батареях
    • Электроэнергетических системах
    • Измерительной технике
    • Питании цифровых устройств
Выбрано: Показать

Характеристики GBPC3508W-G

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    35 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 17.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-Square, GBPC-W
  • Исполнение корпуса
    GBPC-W
  • Base Product Number
    GBPC3508

Техническая документация

 GBPC3508W-G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2W10G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A WOG
    162Кешбэк 24 балла
    GBL005-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A GBL
    163Кешбэк 24 балла
    B40C1000G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 65V 1A WOG
    165Кешбэк 24 балла
    B6S-E3/80BRIDGE RECT 1P 600V TO269AA
    166Кешбэк 24 балла
    B40C800G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 65V 900MA WOG
    169Кешбэк 25 баллов
    B80C800G-E4/51BRIDGE RECT 1P 125V 900MA WOG
    169Кешбэк 25 баллов
    DF01S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DFS
    170Кешбэк 25 баллов
    GBU6B-M3/51BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
    181Кешбэк 27 баллов
    DF08SA-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DFS
    182Кешбэк 27 баллов
    DF10SA-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFS
    182Кешбэк 27 баллов
    DF06SA-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFS
    182Кешбэк 27 баллов
    DF06M-E3/45Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFM
    187Кешбэк 28 баллов
    DF1510S-E3/77Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DFS
    191Кешбэк 28 баллов
    W02G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A WOG
    191Кешбэк 28 баллов
    DF02S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS
    192Кешбэк 28 баллов
    DF02S-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS
    197Кешбэк 29 баллов
    W06G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A WOG
    199Кешбэк 29 баллов
    B380C1500G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A WOG
    201Кешбэк 30 баллов
    DF005M-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFM
    205Кешбэк 30 баллов
    DF1506S-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A DFS
    205Кешбэк 30 баллов
    DF04M-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFM
    205Кешбэк 30 баллов
    DFL1508S-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A DFS
    207Кешбэк 31 балл
    DF1504S-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A DFS
    207Кешбэк 31 балл
    DFL1510S-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DFS
    207Кешбэк 31 балл
    DF1508S-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A DFS
    207Кешбэк 31 балл
    W08G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A WOG
    209Кешбэк 31 балл
    GBU4A-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A GBU
    211Кешбэк 31 балл
    2W06G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A WOG
    213Кешбэк 31 балл
    B80C1500G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 125V 1.5A WOG
    213Кешбэк 31 балл
    2W01G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOG
    213Кешбэк 31 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП