Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - мостовые выпрямители
GBS4B
  • В избранное
  • В сравнение
GBS4B

GBS4B

GBS4B
;
GBS4B

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBS4B
  • Описание:
    1PH BRIDGE 19X10X3.5 100V 4AВсе характеристики

Минимальная цена GBS4B при покупке от 1 шт 316.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBS4B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBS4B

GBS4B DIOTEC SEMICONDUCTOR 1PH BRIDGE 19X10X3.5 100V 4A — это интегральный мостовой диодный мост, используемый в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 4А
    • Форм-фактор: 19x10x3.5 мм
    • Количество элементов: 4 (диода)
    • Тип: мостовой диодный мост
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер и легкость установки
    • Высокая скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе с высокими токами
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрева
  • Общее назначение:
    • Преобразование асимметричного сигнала в симметричный
    • Защита от обратного тока
    • Диодная фильтрация
  • Применение:
    • Источники питания
    • Приводы двигателей
    • Электронные системы управления
    • Системы защиты от перенапряжения
Выбрано: Показать

Характеристики GBS4B

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    2.3 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 2 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 100 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP
  • Исполнение корпуса
    4-SIP

Техническая документация

 GBS4B.pdf
pdf. 0 kb
  • 344 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    316 ₽
  • 10
    188 ₽
  • 100
    125 ₽
  • 1000
    95 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBS4B
  • Описание:
    1PH BRIDGE 19X10X3.5 100V 4AВсе характеристики

Минимальная цена GBS4B при покупке от 1 шт 316.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBS4B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBS4B

GBS4B DIOTEC SEMICONDUCTOR 1PH BRIDGE 19X10X3.5 100V 4A — это интегральный мостовой диодный мост, используемый в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 4А
    • Форм-фактор: 19x10x3.5 мм
    • Количество элементов: 4 (диода)
    • Тип: мостовой диодный мост
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер и легкость установки
    • Высокая скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе с высокими токами
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрева
  • Общее назначение:
    • Преобразование асимметричного сигнала в симметричный
    • Защита от обратного тока
    • Диодная фильтрация
  • Применение:
    • Источники питания
    • Приводы двигателей
    • Электронные системы управления
    • Системы защиты от перенапряжения
Выбрано: Показать

Характеристики GBS4B

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    2.3 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 2 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 100 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP
  • Исполнение корпуса
    4-SIP

Техническая документация

 GBS4B.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBJ3508BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBJ
    183Кешбэк 27 баллов
    GBJ3506BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBJ
    174Кешбэк 26 баллов
    GBJ3504BRIDGE RECT 1PHASE 400V 35A GBJ
    167Кешбэк 25 баллов
    GBJ1008BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBJ
    125Кешбэк 18 баллов
    NTE5306R-SI BRG 800V 1.5A
    250Кешбэк 37 баллов
    NTE53000BRIDGE-200VRM 10A
    317Кешбэк 47 баллов
    NTE5302R-BRIDGE 800V 8 AMP SIP
    379Кешбэк 56 баллов
    NTE5328WR-SI BRIDGE 1000V 25A
    1 055Кешбэк 158 баллов
    NTE5327WR-SI BRIDGE 800V 25A
    934Кешбэк 140 баллов
    NTE5310R-SI BRIDGE 600V 4A
    541Кешбэк 81 балл
    NTE5327R-SI BRIDGE 800V 25A
    1 494Кешбэк 224 балла
    NTE5300R-BRIDGE 200V 8 AMP SIP
    243Кешбэк 36 баллов
    NTE5330R-SI BRIDGE 600V 6A
    827Кешбэк 124 балла
    NTE535083-PHASE BRIDGE 800V 35A
    3 324Кешбэк 498 баллов
    NTE5390R-SI BRIDGE 200V 35A
    480Кешбэк 72 балла
    NTE53003BRIDGE-800VRM 10A
    424Кешбэк 63 балла
    NTE53002BRIDGE-600VRM 10A
    288Кешбэк 43 балла
    NTE5311R-SI BRIDGE 1000V 4A
    463Кешбэк 69 баллов
    NTE5301R-BRIDGE 600V 8 AMP SIP
    321Кешбэк 48 баллов
    NTE5315R-SI BRIDGE 600V 8A
    820Кешбэк 122 балла
    MD5SBRIDGE RECT GLASS 600V .8A MB-S
    73Кешбэк 10 баллов
    SLDB107SДиод: BRIDGE RECT GLASS 1000V 1A SLDBS
    80Кешбэк 12 баллов
    RC207BRIDGE RECT GLASS 1000V 2A RC-2
    181Кешбэк 27 баллов
    RC206BRIDGE RECT GLASS 800V 2A RC-2
    181Кешбэк 27 баллов
    RC205BRIDGE RECT GLASS 600V 2A RC-2
    181Кешбэк 27 баллов
    W01LBRIDGE RECT GLASS 100V 1.5A RC-2
    164Кешбэк 24 балла
    RS207MBRIDGE RECT GLASS 1000V 2A RS-2M
    174Кешбэк 26 баллов
    RC201BRIDGE RECT GLASS 50V 2A RC-2
    181Кешбэк 27 баллов
    RC202BRIDGE RECT GLASS 100V 2A RC-2
    181Кешбэк 27 баллов
    RS1507MBRIDGE REC GLASS 1000V 15A RS15M
    207Кешбэк 31 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП