Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - мостовые выпрямители
GBU4B-T
  • В избранное
  • В сравнение
GBU4B-T

GBU4B-T

GBU4B-T
;
GBU4B-T

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBU4B-T
  • Описание:
    1PH BRIDGE GBU 100V 4AВсе характеристики

Минимальная цена GBU4B-T при покупке от 1 шт 113.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU4B-T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU4B-T

GBU4B-T DIOTEC SEMICONDUCTOR 1PH BRIDGE GBU 100V 4A — это тип модуля силовых полупроводниковых элементов (MOSFET). Основные параметры:

  • Рейтинг напряжения: 100В
  • Рейтинг тока: 4А
  • Фаза: 1фаза
  • Тип: Мостовая схема

Плюсы:

  • Высокая надежность и долгий срок службы благодаря использованию качественных материалов и технологий.
  • Эффективное управление нагрузкой благодаря точной регулировке.
  • Малый размер и легкость в интеграции в различные электронные устройства.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными модулями.
  • Необходимость использования дополнительного оборудования для защиты от перегрузок и скачков напряжения.

Общее назначение: Используется для управления электрическими нагрузками в различных приложениях, таких как:

  • Автомобильные системы
  • Инверторы
  • Промышленное оборудование
  • Системы управления двигателем
  • Электронные устройства потребления энергии
Выбрано: Показать

Характеристики GBU4B-T

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    2.8 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 4 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 100 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU

Техническая документация

 GBU4B-T.pdf
pdf. 0 kb
  • 1223 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    113 ₽
  • 100
    50 ₽
  • 500
    41 ₽
  • 2000
    36 ₽
  • 10000
    31.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBU4B-T
  • Описание:
    1PH BRIDGE GBU 100V 4AВсе характеристики

Минимальная цена GBU4B-T при покупке от 1 шт 113.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU4B-T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU4B-T

GBU4B-T DIOTEC SEMICONDUCTOR 1PH BRIDGE GBU 100V 4A — это тип модуля силовых полупроводниковых элементов (MOSFET). Основные параметры:

  • Рейтинг напряжения: 100В
  • Рейтинг тока: 4А
  • Фаза: 1фаза
  • Тип: Мостовая схема

Плюсы:

  • Высокая надежность и долгий срок службы благодаря использованию качественных материалов и технологий.
  • Эффективное управление нагрузкой благодаря точной регулировке.
  • Малый размер и легкость в интеграции в различные электронные устройства.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными модулями.
  • Необходимость использования дополнительного оборудования для защиты от перегрузок и скачков напряжения.

Общее назначение: Используется для управления электрическими нагрузками в различных приложениях, таких как:

  • Автомобильные системы
  • Инверторы
  • Промышленное оборудование
  • Системы управления двигателем
  • Электронные устройства потребления энергии
Выбрано: Показать

Характеристики GBU4B-T

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    2.8 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 4 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 100 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU

Техническая документация

 GBU4B-T.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBS4A1PH BRIDGE 19X10X3.5 50V 4A
    162Кешбэк 24 балла
    GBU6G-T1PH BRIDGE GBU 400V 6A
    81Кешбэк 12 баллов
    GBI40M1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 40A
    248Кешбэк 37 баллов
    KBPC5008WP1PH BRIDGE KBPC 800V 50A
    1 002Кешбэк 150 баллов
    KBPC3508WP1PH BRIDGE KBPC 800V 35A
    463Кешбэк 69 баллов
    DB35-063PH BRIDGE DB 600V 35A
    852Кешбэк 127 баллов
    DB25-16Диод: 3PH BRIDGE DB 1600V 25A
    1 121Кешбэк 168 баллов
    GBI25K1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 25A
    168Кешбэк 25 баллов
    DBI20-16B3PH BRIDGE 35X25X4 1600V 20A
    1 503Кешбэк 225 баллов
    KBPC10/15/2502WP1PH BRIDGE KBPC 200V 25A
    708Кешбэк 106 баллов
    DB25-083PH BRIDGE DB 800V 25A
    863Кешбэк 129 баллов
    DB25-043PH BRIDGE DB 400V 25A
    973Кешбэк 145 баллов
    KBPC10/15/2516WP1PH BRIDGE KBPC 1600V 25A
    1 086Кешбэк 162 балла
    DB15-013PH BRIDGE DB 100V 25A
    1 797Кешбэк 269 баллов
    DB25-023PH BRIDGE DB 200V 25A
    1 530Кешбэк 229 баллов
    DB15-023PH BRIDGE DB 200V 25A
    671Кешбэк 100 баллов
    B250S15ABRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE,
    69Кешбэк 10 баллов
    DB35-043PH BRIDGE DB 400V 35A
    830Кешбэк 124 балла
    DB15-043PH BRIDGE DB 400V 25A
    717Кешбэк 107 баллов
    DBI25-18A3PH BRIDGE 35X25X4 1800V 25A
    1 690Кешбэк 253 балла
    DB35-023PH BRIDGE DB 200V 35A
    706Кешбэк 105 баллов
    DB15-10Диод: 3PH BRIDGE DB 1000V 25A
    973Кешбэк 145 баллов
    KBPC2506I1PH BRIDGE KBPC 600V 25A
    552Кешбэк 82 балла
    DB15-123PH BRIDGE DB 1200V 25A
    826Кешбэк 123 балла
    DB15-163PH BRIDGE DB 1600V 25A
    793Кешбэк 118 баллов
    GBI15B1PH BRIDGE 30X20X3.6 100V 15A
    164Кешбэк 24 балла
    DB15-063PH BRIDGE DB 600V 25A
    711Кешбэк 106 баллов
    DB25-14Соединитель: Диод: 3PH BRIDGE DB 1400V 25A
    2 053Кешбэк 307 баллов
    DB35-013PH BRIDGE DB 100V 35A
    1 067Кешбэк 160 баллов
    GBU8J-TДиод: 1PH BRIDGE GBU 600V 8A
    161Кешбэк 24 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП