Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBU8D-E3/45
  • В избранное
  • В сравнение
GBU8D-E3/45

GBU8D-E3/45

GBU8D-E3/45
;
GBU8D-E3/45

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    GBU8D-E3/45
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBUВсе характеристики

Минимальная цена GBU8D-E3/45 при покупке от 1 шт 502.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU8D-E3/45 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU8D-E3/45

GBU8D-E3/45 Vishay General Semiconductor BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU

  • Основные параметры:
    • Напряжение: 200В
    • Ток: 3.9А
    • Форма: BRIDGE RECT 1PHASE
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию качественных материалов от производителя Vishay General Semiconductor.
    • Устойчивость к перегрузкам и коротким замыканиям.
    • Компактный размер для удобного монтажа.
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше по сравнению с аналогичными компонентами других производителей.
    • Необходимо соблюдение правил безопасности при работе с высоким напряжением.
  • Общее назначение: Используется для преобразования переменного тока в постоянный в различных электронных устройствах.
  • Применение:
    • Автомобильные системы питания.
    • Переходники для зарядки устройств.
    • Измерительная и тестовая техника.
    • Электроприборы.
    • Инверторы.
Выбрано: Показать

Характеристики GBU8D-E3/45

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3.9 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 8 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 200 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU
  • Base Product Number
    GBU8

Техническая документация

 GBU8D-E3/45.pdf
pdf. 0 kb
  • 2570 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    502 ₽
  • 10
    159 ₽
  • 100
    159 ₽
  • 5000
    153 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    GBU8D-E3/45
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBUВсе характеристики

Минимальная цена GBU8D-E3/45 при покупке от 1 шт 502.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU8D-E3/45 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU8D-E3/45

GBU8D-E3/45 Vishay General Semiconductor BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU

  • Основные параметры:
    • Напряжение: 200В
    • Ток: 3.9А
    • Форма: BRIDGE RECT 1PHASE
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию качественных материалов от производителя Vishay General Semiconductor.
    • Устойчивость к перегрузкам и коротким замыканиям.
    • Компактный размер для удобного монтажа.
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше по сравнению с аналогичными компонентами других производителей.
    • Необходимо соблюдение правил безопасности при работе с высоким напряжением.
  • Общее назначение: Используется для преобразования переменного тока в постоянный в различных электронных устройствах.
  • Применение:
    • Автомобильные системы питания.
    • Переходники для зарядки устройств.
    • Измерительная и тестовая техника.
    • Электроприборы.
    • Инверторы.
Выбрано: Показать

Характеристики GBU8D-E3/45

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3.9 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 8 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 200 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU
  • Base Product Number
    GBU8

Техническая документация

 GBU8D-E3/45.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PB64-BPBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A PB-6
    304Кешбэк 45 баллов
    GBJ1001-BPBRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBJ
    328Кешбэк 49 баллов
    GBJ10005-BPBRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBJ
    328Кешбэк 49 баллов
    GBJ1004-BPBRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A GBJ
    328Кешбэк 49 баллов
    GBJ15005-BPBRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
    339Кешбэк 50 баллов
    GBJ1502-BPBRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBJ
    339Кешбэк 50 баллов
    GBJ1504-BPДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBJ
    339Кешбэк 50 баллов
    GBU10A-BPBRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU
    345Кешбэк 51 балл
    GBU15G-BPBRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBU
    345Кешбэк 51 балл
    GBJ1008-BPBRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBJ
    345Кешбэк 51 балл
    GBU15K-BPBRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBU
    345Кешбэк 51 балл
    GBJ3506-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBJ
    434Кешбэк 65 баллов
    GBJ2504-BPBRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A GBJ
    469Кешбэк 70 баллов
    GBJ2010-BPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
    469Кешбэк 70 баллов
    GBJ25005-BPBRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A GBJ
    469Кешбэк 70 баллов
    GBJ2510-BPДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
    469Кешбэк 70 баллов
    GBJ2006-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A GBJ
    469Кешбэк 70 баллов
    GBJ2508-BPBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
    469Кешбэк 70 баллов
    GBJ2502-BPBRIDGE RECT 1PHASE 200V 25A GBJ
    469Кешбэк 70 баллов
    GBJ3504-BPBRIDGE RECT 1PHASE 400V 35A GBJ
    509Кешбэк 76 баллов
    GBJ3501-BPBRIDGE RECT 1PHASE 100V 35A GBJ
    509Кешбэк 76 баллов
    GBJ35005-BPBRIDGE RECT 1PHASE 50V 35A GBJ
    509Кешбэк 76 баллов
    GBJ3502-BPBRIDGE RECT 1PHASE 200V 35A GBJ
    509Кешбэк 76 баллов
    GBJ5006-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 50A GBJ
    526Кешбэк 78 баллов
    GBPC2501-BPBRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBPC
    698Кешбэк 104 балла
    GBPC3510-BPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPC
    698Кешбэк 104 балла
    GBPC2506-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBPC
    698Кешбэк 104 балла
    GBPC2510-BPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC
    698Кешбэк 104 балла
    GBPC3501-BPBRIDGE RECT 1PHASE 100V 35A GBPC
    698Кешбэк 104 балла
    MP506-BPBRIDGE RECT 1P 600V 50A MP-50
    819Кешбэк 122 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП